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CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移”被引量：1: 2001年; 利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100 nm, 折射系数约为2.455. 实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着紫移现象, 其移动距离约为65 nm. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关. 当Ce离子价态发生Ce4+Ce3+变化时, 其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动, 出现发光峰紫移现象.; 柴春林杨少延刘志凯廖梅勇陈诺夫王占国; 关键词：PL谱光致发光谱离子价态

二元高k材料研究进展及制备被引量：1: 2002年; 随着大规模集成电路的发展 ,需要一种高介质材料来代替传统的SiO2 ,介绍了有可能替代SiO2 的几种二元材料的研究现状 ,主要包括Si3N4 、Ta2 O5、TiO2 、ZrO2 、Y2 O3、Gd2 O3和CeO2几种材料的结构和电学性能 ,以及制备薄膜的几种方法 :蒸发法、化学气相沉积和离子束沉积。; 周剑平柴春林杨少延刘志凯张志成陈诺夫林兰英; 关键词：蒸发法 CVD IBD 系统芯片集成电路

离子束外延技术与新材料研究: 介绍了离子束外延（Ion-Beam Epitaxy,IBE）技术的工作原理、工艺特点以及设备的发展概况。重点阐述了IBE新材料应用研究的国内外发展现状,包括元素半导体薄膜、宽带隙化合物半导体薄膜、磁性半导体薄膜、稀土氧化...; 杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国; 文献传递

CeO_2/Si薄膜的紫/蓝光跃迁被引量：7: 2003年; 利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜,观察到了CeO2室温蓝光发光以及低温紫光致发光(PL)现象.利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,CeO2的发光机制是由于电子的Ce4f→O2p跃迁和缺陷能级→O2p能级跃迁共同作用的结果,并且这些缺陷能级位于Ce4f能级上下1 eV的范围内.; 柴春林杨少延刘志凯廖梅勇陈诺夫; 关键词：发光机制能级跃迁

La_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3和CeO_2混合块状样品电输运性质及使用分形迭代电阻网络模型的计算模拟被引量：2: 2005年; 固相反应方法制得的La0·7Ca0·3MnO3(LCMO)粉末与CeO2粉末均匀混合后压块烧结,对其进行了电阻率随温度变化的测量.观察到样品电阻率存在绝缘体-金属转变.研究了烧结工艺、CeO2的混合比例与样品的电阻率、结构和表面形貌的关系.结果表明,制备工艺对材料性能有相当大的影响,其中较低温度的烧结主要影响小晶粒及其晶粒间界,而高温长时间烧结将影响大晶粒的形成.利用三维随机电阻网络(RRN)模型和蒙特卡罗方法对这种混合块状样品的输运性质进行了模拟,模拟中使用了一种新的RRN平均方法.该模型得到的数值模拟结果与实验结果在定性上是一致的.这说明以RRN模型来理解LCMO(x)-CeO2(1-x)复合体系的导电状况是合理的,提出的随机电阻网络平均方法是合适的.; 王世奇连贵君熊光成; 关键词：CEO2 电输运性质蒙特卡罗方法固相反应晶粒间界小晶粒

磁控溅射法生长CeO2/Si薄膜及其发光性质: 2005年; 利用反应磁控溅射法对CeO2薄膜的生长规律进行了研究.通过实验发现,溅射时氧气和氩气的比例对薄膜的成分和晶体质量有很大影响.在室温下测试了CeO2薄膜的PL谱,结果表明CeO2薄膜的发光主要来自于氧缺陷.; 柴春林杨少延刘志凯陈诺夫; 关键词：磁控溅射发光

质量分离的双离子束沉积法生长CeO_2(111)/Si薄膜: 2001年; 利用一种全新的薄膜生长技术—质量分离的双离子束沉积技术 ,在较低温度 ( 40 0℃ )下对CeO2 ( 111) /Si( 10 0 )薄膜的生长进行了研究。两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响 ,较高能量 ( 3 0 0eV)的离子束对薄膜有轰击作用 ,并有助于薄膜的择优取向生长。在 4 0 0℃时 ,制备了CeO2 ( 111) /Si( 10 0 )单晶薄膜。; 柴春林杨少延刘志凯廖梅勇陈诺夫王占国; 关键词：薄膜生长

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国家重点基础研究发展计划(G2000036505)