国家自然科学基金(51002035)
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 相关作者：邓朝勇张松吴燕平付尧王旭更多>>
- 相关机构：贵州大学贵州省微纳电子与软件技术重点实验室更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电气工程机械工程理学更多>>
- 前驱B膜沉积时间对MgB_2薄膜超导特性的影响被引量：1
- 2014年
- 利用化学气相沉积法(CVD)在多晶Al2O3衬底上制备出了系列MgB2超导薄膜,研究了前驱硼膜沉积时间对MgB2薄膜超导特性的影响,通过XRD、SEM和R-T曲线对超导MgB2薄膜进行了表征。延长前驱硼膜的沉积时间,得到的硼膜结晶度越高,结构更致密。经退火后制备的MgB2薄膜表面富余的Mg可以改善晶粒间的连接,提升T c值。该实验沉积10min前驱硼膜得到的MgB2超导薄膜T c值为34K,且超导转变宽度比较窄。延长前驱硼膜沉积时间到15min后,薄膜的T c值降低,这是由于前驱硼膜较多,Mg和硼反应不充分所导致的。
- 吴燕平张松付尧王旭邓朝勇
- 关键词：MGB2超导薄膜化学气相沉积
- 两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术(英文)
- 2012年
- 超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤。报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧水(H2O2)刻蚀前驱体硼薄膜,然后将刻蚀的样品放入钽坩埚中在镁蒸气下高温退火,实现了对超导薄膜二硼化镁(MgB2)布图布线的刻蚀;另一种是选用氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合溶液直接在二硼化镁超导薄膜上进行图形刻蚀。通过上述两种方法刻蚀出的MgB2薄膜图形精确度高,超导转变温度Tc都在38K以上,临界电流Ic约为1×106 A/cm2。
- 周章渝杨发顺杨健王松邓朝勇傅兴华
- 关键词：MGB2超导薄膜湿法刻蚀
- 超导MgB_2掺杂及薄膜制备研究进展
- 2012年
- 综述了MgB2超导体近期的研究成果,介绍了MgB2的电子结构和超导性质以及化学掺杂对MgB2超导性质的影响,认为通过掺杂可以提高MgB2超导材料在高场下的Jc,少量的SiC掺杂可以得到目前最优异的Jc。讨论了制备MgB2超导薄膜的各种方法,发现HPCVD法制备MgB2超导薄膜有巨大的发展空间,并展望了MgB2超导体的应用前景。
- 王洪伟张松崔瑞瑞李绪诚张荣芬邓朝勇
- 关键词：MGB2电子结构超导性质
- MgB_2超导材料掺杂研究进展被引量：3
- 2013年
- 元素掺杂可以提升MgB2在磁场中的性能,解决其超导性能在磁场环境下的退化问题,对MgB2超导材料的应用具有重大意义。介绍了元素掺杂MgB2的目的及作用机理,从薄膜、块材、线带材3个方面具体综述了纳米SiC和有机物掺杂MgB2超导体的研究进展,系统总结了烧结温度及有机物掺杂量对MgB2超导体的性能影响,深入分析了有机物掺杂改善MgB2超导性能的微观原因。
- 付尧张松吴燕平邓朝勇
- 关键词：MGB2临界电流密度SIC掺杂
