国家自然科学基金(51002052)
- 作品数：13 被引量：49H指数：3
- 相关作者：李国强刘玫潭高芳亮管云芳蔡旭升更多>>
- 相关机构：华南理工大学惠州雷士光电科技有限公司西北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省重大科技专项国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 造孔剂含量对多孔SiC预制件孔隙率的影响及孔隙率测定方法探究被引量：3
- 2013年
- 采用模压成型法制备了SiC预制件,分别采用阿基米德法、质量体积法和压汞仪法测试了其孔隙率,并对测试结果进行比较分析。结果表明,阿基米德法测试结果偏小,这是因为此方法测量的是孔径较大的气孔的显气孔率;质量体积法与压汞仪法测试结果较为接近。比较AlSiC复合材料中Al合金体积分数和3种方法的测试结果表明,质量体积法测试结果与Al合金体积分数最接近,是一种简单可靠的孔隙率测试方法。进一步探究了预制件孔隙率与造孔剂含量之间的关系。结果表明,当造孔剂含量较少时,孔隙率增加不明显,当造孔剂含量高于5%时,随着造孔剂含量的增加,孔隙率大体上呈线性增加趋势。当造孔剂含量为14%时,孔隙率近40%,完全满足后续渗Al需要。
- 刘玫潭蔡旭升何丽娇李国强
- 关键词：孔隙率造孔剂
- 高性能SiC增强Al基复合材料的显微组织和热性能被引量：36
- 2013年
- 采用模压成型和无压浸渗工艺制备了高体积分数SiC增强Al基复合材料(AlSiC),对其物相和显微结构进行研究。结果表明:用上述方法制备的AlSiC复合材料组织致密,两种粒径的SiC颗粒均匀分布于Al基质中,界面结合强度高;SiC增强颗粒与Al基质界面反应控制良好,未出现Al4C3等脆性相。分析指出:Al合金中Si元素的存在有利于防止脆性相Al4C3的形成,Mg元素的加入提高了Al基体和SiC增强体之间的润湿性。所获得复合材料的平均热膨胀系数为9.31×10 6K 1,热导率为238 W/(m.K),密度为2.97 g/cm3,表现出了良好的性能,完全满足高性能电子封装材料的要求。
- 刘玫潭蔡旭升李国强
- 关键词：显微结构物相热膨胀系数
- 氮化时间对RF-MBE法生长InN薄膜晶体结构的影响
- 2013年
- 采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜,在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的形貌和结构进行了表征,发现氮化时间小于60min时获得的InN薄膜的晶体结构为多晶且表面粗糙,而氮化时间为60min及120min时获得的InN薄膜为单晶结构,表面粗糙度有所下降。分析表明,氮化时间对InN薄膜的晶体结构有很重要的影响。
- 高芳亮管云芳李国强
- 关键词：氮化铟氮化RF-MBE单晶薄膜
- 不同氧化物衬底上高质量GaN薄膜的外延生长
- 2013年
- 通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在这几种氧化物衬底上生长GaN薄膜所具有的独特优势;针对氧化物衬底上生长GaN薄膜的问题,提出了相应的解决方法,进而明确指出了研究非常规氧化物衬底的重要意义。在此基础上,详细介绍了在三种氧化物衬底上生长高质量GaN薄膜的方法及研究进展,为高晶体质量GaN薄膜的生长及Ⅲ族氮化物半导体器件的应用研究、特别是基于非常规氧化物衬底的研究起到很好的指导意义。
- 李国强管云芳高芳亮
- 关键词：MGAL2O4LAALO3GAN薄膜
- 在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件被引量：3
- 2012年
- 通过分析对比蓝宝石衬底和金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的优缺点,指出了金属所具有的独特优异的物理及化学性能,以及金属作为衬底外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的重大意义。详细介绍了国内外在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的研究状况及所发展的相关外延技术。相比金属有机物气相沉积技术和分子束外延技术,脉冲激光沉积技术可以实现Ⅲ族氮化物的低温外延生长,从而克服金属有机物气相沉积技术和分子束外延技术采用的高温生长而导致金属衬底与外延薄膜间发生的剧烈界面反应,可以直接在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件。脉冲激光沉积技术为在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件开拓了广阔的前景。
- 王文樑李国强
- 蓝宝石上生长高质量InN单晶薄膜的研究发展被引量：2
- 2013年
- 通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施,说明了生长高质量InN单晶薄膜的有效途径,为InN的生长及应用提供了理论与技术指导。
- 管云芳高芳亮李国强
- 关键词：氮化铟单晶薄膜MOCVDRF-MBEHVPE
- 垒层Si掺杂对多量子阱InGaN绿光LED性能的影响
- 2013年
- InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率。论文探讨了绿光多量子阱中垒层的Si掺杂对绿光器件性能的影响。研究发现,多量子阱中垒层适度Si掺杂(3.4×1016 cm-3)可以改善多量子阱结构界面质量和In组分波动,在外加正向电流的作用下更大程度地屏蔽极化电场;同时,还能够增强电流的横向扩展性,提高活化区的有效发光面积。然而,多量子阱中垒层的过度Si掺杂对于绿光LED器件的性能带来诸多的负面影响,比如加剧阱垒晶格失配、漏电途径明显增加等,致使器件光效大幅度降低。
- 郝锐马学进马昆旺林志霆李国强
- 关键词：绿光LEDINGAN多量子阱
- 六棱锥衬底旋转角影响LED效率的模拟探究被引量：1
- 2013年
- 以正六棱锥型图形化蓝宝石衬底GaN基LED为研究对象,设计并探讨了正六棱锥图案在排布过程中旋转角的变化对LED出光效率的影响,得出各面光通量随旋转角变化的规律:在0°～30°范围,随着旋转角的增大,总光通量与顶部光通量有下降趋势,底部光通量有增长趋势。当六棱锥旋转角在0°～6°范围内时,LED芯片的总光通量和顶部光通量均有最优值。综合考虑,旋转角为0°～6°的六棱锥型图形衬底对正装LED的出光效率有最佳的优化效果。
- 何攀贵王海燕乔田周仕忠林志霆李国强
- 关键词：LED旋转角
- AlN缓冲层厚度对脉冲激光沉积技术生长的GaN薄膜性能的影响被引量：1
- 2014年
- 在蓝宝石(Al2O3)衬底上应用脉冲激光沉积技术(PLD)生长不同厚度的AlN缓冲层后进行GaN薄膜外延生长。采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)和扫描电子显微镜(SEM)对外延生长所得GaN薄膜的晶体质量和表面形貌进行了表征。测试结果表明:相比直接在Al2O3衬底上生长的GaN薄膜,通过生长AlN缓冲层的GaN薄膜虽然晶体质量较差,但表面较平整;而且随着AlN缓冲层厚度的增加,GaN薄膜的晶体质量和表面平整度均逐渐提高。可见,AlN缓冲层厚度对在Al2O3衬底上外延生长GaN薄膜的晶体质量和表面形貌有着重要的影响。
- 刘作莲王文樑杨为家李国强
- 关键词：GAN薄膜ALN缓冲层脉冲激光沉积扫描电子显微镜
- Si衬底氮化物LED器件的研究进展被引量：5
- 2012年
- 通过对比分析目前氮化物LED的三种主要衬底即蓝宝石、SiC与Si的技术特点,指出了发展Si衬底LED的重要意义。详细介绍了目前国内外Si衬底LED的研究现状,解析了在Si衬底上制备LED的多种新型技术,主要包括以提高薄膜沉积质量为目的的缓冲层技术、激光脱离技术、图案掩模技术、阳极氧化铝技术,以及以提高光提取率为宗旨的镜面结构技术和量子阱/量子点技术。这些新型技术与传统的MOCVD,HVPE,MBE等制备技术相结合,在很大程度上克服了Si衬底的不足,使Si衬底上氮化物LED展现出广阔的发展前景。
- 李国强杨慧
- 关键词：LEDSI衬底缓冲层
