益阳市科技计划项目(2012JZ09)
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
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- 相关机构：湖南城市学院保山学院更多>>
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- 峰值折射率对正弦型函数光子晶体带隙的影响被引量：2
- 2014年
- 对折射率按正弦规律变化的介质进行离散化处理,采用传输矩阵法计算了一维正弦型函数光子晶体的透射率,分析了各层介质的折射率峰值对带隙结构的影响。结果表明,随着高折射率介质的峰值折射率增大,主禁带增宽且红移;随着低折射率介质的峰值折射率增大,主禁带变窄且红移;当高低折射率介质都是正弦型函数介质时,与常规光子晶体相比,平均折射率之差增大时,主禁带增宽,反之主禁带变窄。这一结果对光子晶体的设计具有一定的指导意义。
- 熊翠秀邓杨保邓曙光
- 关键词：传输矩阵法禁带结构
- 超导材料光子晶体量子阱隧穿模的温度特性
- 2015年
- 设计含超导一维光子晶体量子阱(CD)m(AB)n(CD)m,利用超导材料的温控折射率的动态可调性,并考虑虑材料的热光效应和热膨胀效应,采用传输矩阵法计算了透射谱,分析了温度对隧穿模的调控特性。结果表明,随着温度的升高,隧穿模发生红移,并且品质因数降低。这些特性对多通道光滤波器的设计具有一定的指导意义。
- 姚映波
- 关键词：传输矩阵法透射谱品质因素
- 材料色散对1维光子晶体缺陷模影响的研究被引量：1
- 2013年
- 为了分析材料色散对缺陷模的影响,对色散材料采用洛伦兹振子模型,利用传输矩阵法计算了含缺陷1维光子晶体的透射谱,分析了各层的色散对该结构1维光子晶体缺陷模的影响。结果表明,无论是高、低折射率介质还是缺陷层的色散都可以引起缺陷模的频移或分裂;缺陷模的频移方向与考虑色散后光学厚度的变化有关,如果光学厚度增大,则发生红移,反之则发生蓝移;低折射率介质的色散使缺陷模频移的效果最显著。这一结果对光子晶体的设计和研究有一定的参考价值。
- 熊翠秀蒋练军
- 关键词：光电子学传输矩阵法材料色散
- 正负折射率含缺陷1维光子晶体多通道滤波器被引量：2
- 2014年
- 为了分析结构参量对正负折射率材料1维光子晶体缺陷模的影响,利用传输矩阵法计算了基于正负折射率材料含正折射率缺陷1维光子晶体B(AB)m(ACB)n(AB)mB的透射谱,分析了各参量对该结构1维光子晶体缺陷模的影响,并用波动理论定性分析了多通道滤波器形成的原因。结果表明,在各介质层的光学厚度绝对值都为λ0/4的情况下,每个禁带中都有n个超窄的透射峰,相邻两个透射峰间距比相同结构下正折射率情况的宽;当n=1时,随着C层介质光学厚度以λ0/4的k倍增加,透射谱中同一禁带内出现了k条透射峰;当n≥2时,透射谱中同一禁带内出现了n×k条透射峰。该研究结果对可调多通道滤波器的设计和研究有一定的参考价值。
- 熊翠秀蒋练军王景艳
- 关键词：光电子学缺陷模传输矩阵法
- 峰值折射率对正弦型函数光子晶体缺陷模的影响被引量：4
- 2014年
- 为了分析峰值折射率对1维正弦型函数光子晶体缺陷模的影响,首先对折射率按正弦规律变化的介质进行离散化,然后应用传输矩阵法计算了1维光子晶体(AB)mC(BA)m的透射谱,分析了各介质层的折射率峰值对该结构1维正弦型函数光子晶体缺陷模的影响。结果表明,随着峰值折射率的增大,缺陷模红移,且频率越高缺陷模红移现象越明显;低折射率介质的峰值折射率对缺陷模频移的影响比较显著。这一结果对光子晶体的设计有一定的参考价值。
- 熊翠秀邓杨保邓曙光王景艳
- 关键词：光电子学传输矩阵法
