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国家自然科学基金(51002006)

作品数:5 被引量:9H指数:2
相关作者:邓元王瑶张志伟谭明祝薇更多>>
相关机构:北京航空航天大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇英文
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇热电性能
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇输运
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电材料
  • 1篇热电
  • 1篇热电薄膜
  • 1篇碲化铋
  • 1篇线阵列
  • 1篇相变
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米线阵列
  • 1篇溅射法

机构

  • 4篇北京航空航天...

作者

  • 4篇邓元
  • 3篇王瑶
  • 1篇曹丽莉
  • 1篇林桢
  • 1篇谭明
  • 1篇史永明
  • 1篇张志伟
  • 1篇罗炳威
  • 1篇祝薇

传媒

  • 3篇无机材料学报
  • 1篇中国材料进展

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2011
5 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
射频磁控溅射制备层状Bi-Te薄膜及热电性能研究(英文)被引量:2
2011年
采用射频磁控溅射制备了具有特殊层状纳米结构的碲化铋热电薄膜.以Bi2Te3为靶材,在不同基底温度和沉积时间下制备了薄膜,并利用X射线衍射、扫描电镜和X射线能谱等对样品进行了结构和成分分析,同时测试了薄膜的电导率和Seebeck系数.结果表明,基底温度是影响薄膜微结构和热电性能的关键因素之一,较高的基底温度利于层状结构的形成和功率因子的提高,400℃基底温度下制备薄膜的功率因子最优.然而,所有薄膜均显示不同程度偏离Bi2Te3的化学计量比而缺Te,优化薄膜成分有望进一步提高薄膜的热电性能.
张志伟王瑶邓元谭明
关键词:碲化铋射频磁控溅射热电性能
钙钛矿型Pb基反铁电储能材料研究进展被引量:3
2011年
反铁电材料在发生场致反铁电-铁电相变过程中伴随着巨大应变和能量的储存和释放,故在高密度储能器件和机电换能器上极具应用潜力。综述了具有钙钛矿结构的Pb基反铁电体结构特点与性能调控,特别是Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基反铁电储能材料的研究进展与存在问题。重点讨论了几类典型元素掺杂Pb基反铁电薄膜材料研究的最新进展。简要介绍了适应无铅化要求、环境友好的无铅钙钛矿型反铁电-铁电相变材料。最后对当前钙钛矿型Pb基反铁电材料研究与应用中尚需深入探究的问题进行了总结。
王瑶邓元
关键词:反铁电材料钙钛矿储能相变
铜对双靶共溅制备热电薄膜输运性能的影响(英文)被引量:1
2014年
采用双靶共溅法制备了铜掺杂的碲化铋锑热电薄膜,铜与碲化铋锑共溅的方法有利于形成沿c轴方向择优生长的碲化铋锑薄膜。结果表明,铜原子均匀的掺杂在碲化铋锑薄膜材料中。由于铜原子有利于提高载流子迁移率,薄膜材料的电导率随着铜掺杂比例的提高得到了极大的提升。当铜靶的溅射功率为20 W时,可以得到最高的电导率,同时功率因子的最佳值可提升到20μW/(cm·K2)。
曹丽莉王瑶邓元罗炳威祝薇史永明林桢
关键词:半导体热电性能磁控溅射
磁控溅射法可控制备有序碲纳米线阵列(英文)
2015年
采用磁控溅射法在较低基底温度下(200℃)制备了有序碲纳米线阵列,并利用X射线衍射、扫描电镜和透射电镜对所制备薄膜进行了相、形貌和微观结构分析。结果表明,所制备的纳米线阵列由单晶碲纳米线组成,单根碲纳米线具有针状形貌,并沿[101]晶向生长,平均直径和长度分别为100 nm和1μm。氩气压力和基底温度均对碲纳米线阵列的形成具有重要影响,以平衡碲原子沿[101]晶向和(101)晶面方向的扩散和生长。提出了碲纳米线阵列的生长机制,包括吸附、结合、成核和生长等过程。
张志伟邓元
关键词:纳米线阵列射频磁控溅射
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