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教育部留学回国人员科研启动基金(0030K13016)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇电阻温度系数
  • 1篇压电电阻
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡
  • 1篇氧化铟锡薄膜
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电氧化...

机构

  • 1篇厦门大学

作者

  • 1篇方辉
  • 1篇李文杰

传媒

  • 1篇厦门大学学报...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
氧化铟锡薄膜电阻温度曲线中的滞后现象
2009年
用电子束蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜,并在500℃下氮气氛围中退火1h.将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图,并记录连续4轮由室温升至400℃,接着降至室温过程中样品的电阻变化.测量数据显示,电阻温度曲线在温度上升和下降阶段存在滞后现象.结合半导体载流子输运理论建立模型,与降温实验数据拟合程度很好,但当用来解释升温数据时却存在明显的偏差.由降温过程的数据计算得到氧化铟锡的电阻温度系数在温度大于380℃后趋于+1.393×10-3/℃,同时给出了氧化铟锡薄膜的激活能.
李文杰方辉
关键词：氧化铟锡电阻温度系数压电电阻透明导电氧化物
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