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国家重点基础研究发展计划(2007CB924902)

作品数：3 被引量：3H指数：1
相关作者：褚君浩张小华郭少令林铁陈路更多>>
相关机构：中国科学院华东师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自然科学总论更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 2篇碲镉汞
  • 2篇掺砷
  • 1篇导体
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇简并
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光光谱
  • 1篇发光
  • 1篇发光光谱
  • 1篇非简并
  • 1篇半导体
  • 1篇P型
  • 1篇砷
  • 1篇HG
  • 1篇磁电

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇华东师范大学

作者

  • 3篇褚君浩
  • 2篇林铁
  • 2篇郭少令
  • 2篇张小华
  • 1篇何力
  • 1篇朱亮清
  • 1篇陈路

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇红外
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 3篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻机理研究被引量：1
2012年
研究磁性半导体中负磁电阻产生机理对正确理解载流子与磁性离子间的sp-d磁交换作用是非常重要的.通过变温(10—300 K)磁输运和变温(5—300 K)磁化率实验研究了一系列不同Mn含量非简并p型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶(x>0.17)的负磁电阻和顺磁增强效应.实验结果表明其负磁电阻与温度的关系和磁化率与温度的关系基本一致,两者都包含一个呈指数型变化的温度函数exp(-K/T).根据磁性半导体的杂质能级理论,非简并P型Hg_(1-x)Mn_xTe单晶在低磁场范围内出现负磁电阻效应的主要物理机理为外磁场的磁化效应使得受主杂质或受主型束缚磁极化子的有效电离能减小.
朱亮清林铁郭少令褚君浩
关键词：磁性半导体
掺砷碲镉汞的研究进展被引量：1
2012年
掺砷碲镉汞是一种用于制作p-on-n器件和实现高性能碲镉汞探测器及多色红外焦平面阵列的关键材料。对掺砷碲镉汞的相关文献进行了归纳分析。砷激活效率与退火条件及砷的浓度直接相关。对于掺砷浓度在10^(16)～10^(18)cm^(-3)范围内的碲镉汞,通过300℃/16 h和240℃/48 h两步退火可将样品前表面激活为p型材料,但汞空位的浓度相对于背面较高。样品背面靠近衬底处可能存在As_(Te)和As_(Hg)缺陷。
张小华褚君浩
关键词：砷碲镉汞
掺砷碲镉汞的光致发光光谱和电学性质被引量：1
2012年
碲镉汞的电学性能和光学性能直接决定探测器性能.对窄禁带掺砷碲镉汞进行了11～300 K的红外光致发光光谱和变温霍尔测量.对变温光致发光光谱进行了拟合分析,结果表明经通用的两步退火,样品不仅存在砷占碲位(AsTe)、汞空位(VHg)和TeHg-VHg对,还存在碲反位(TeHg).掺杂浓度越大,退火产生的TeHg-VHg对越多.变温霍尔分析进一步证明通用的两步退火后材料中存在TeHg,TeHg留在材料中使迁移率减小.
张小华陈路林铁何力郭少令褚君浩
关键词：碲镉汞光致发光载流子浓度
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