浙江省自然科学基金(Z4110503)
- 作品数:4 被引量:22H指数:3
- 相关作者:季振国席俊华毛启楠李红霞朱玲更多>>
- 相关机构:浙江大学杭州电子科技大学更多>>
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- 相关领域:理学文化科学一般工业技术更多>>
- 反应激光脉冲沉积法制备CoO和Co_3O_4薄膜
- 2011年
- 利用反应脉冲激光沉积法,以金属钴为靶材,通过改变衬底温度、反应气体氧气的流量等工艺参数,先后在玻璃衬底上成功制备了CoO薄膜以及Co3O4薄膜。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见光吸收光谱(UV-Vis)研究了沉积工艺参数对沉积薄膜的晶体结构和光学特性的影响。结果表明,当氧气流量小于15sccm时,沉积的薄膜为岩盐矿结构的CoO,而当氧气流量大于15sccm时,沉积的薄膜为尖晶石矿结构的Co3O4。通过对紫外-可见吸收光谱的数据分析,证明CoO和Co3O4薄膜均为间接能带结构,禁带宽度分别为0.82eV和1.21eV。
- 季振国吴家亮曹虹席俊华李红霞
- 关键词:脉冲激光沉积钴氧化物禁带宽度光学性能
- 下电极对ZnO薄膜电阻开关特性的影响被引量:5
- 2013年
- 本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs)上制备了ZnO薄膜,获得了W/ZnO/BEs存储器结构.研究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响.研究结果表明,以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻开关特性.在低阻态时,ZnO薄膜的导电机理为欧姆传导,而高阻态时薄膜的导电机理为空间电荷限制电流.不同下电极与ZnO薄膜之间的肖特基势垒高度对电阻开关过程中的操作电压有较大的影响,并基于导电细丝模型对不同下电极上ZnO薄膜的低阻态阻值及reset电流的变化进行了解释.
- 李红霞陈雪平陈琪毛启楠席俊华季振国
- 关键词:ZNO薄膜电阻开关
- 高校大型仪器设备效益考核中应注意的几个问题被引量:14
- 2013年
- 针对目前高校大型仪器设备效益考核中存在的一些不足进行了探讨,提出高校大型仪器设备效益考核时应该考虑用户满意度和本科实验教学以及大学生科研训练等项目的参与度,还应注意通用型仪器设备和专用型仪器设备的差异,提出对专用型仪器设备应更加注重对学科建设和专业建设的贡献度,特别是标志性成果和对申报和执行重点重大项目过程中的贡献。认为机时考核权重应大幅下调,应通过工作量考核,即通过本科实验教学工作量、研究生实验工作量、年度样品数量等进行考核,避免无效开机,降低资源消耗和仪器设备的损耗。
- 朱玲季振国
- Bi_2O_3薄膜的制备及其电阻开关特性的研究被引量:3
- 2012年
- 电阻式存储器由于具有众多的优点有望成为最有前景的下一代高速非挥发性存储器的选择之一.实验利用射频磁控溅射法在重掺硅上沉积了Bi2O3薄膜,并对该薄膜的结晶状态和Au/Bi2O3/n+Si/Al结构的电阻开关特性进行了研究.XRD分析结果表明,射频磁控溅射法沉积所得的Bi2O3薄膜结晶性能好,(201)取向明显.I-V曲线测试结果表明,Au/Bi2O3/n+Si/Al结构具有单极性电阻开关特性.通过对不同厚度Bi2O3薄膜的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构I-V特性比较发现,随着薄膜厚度的增加,电阻开关的Forming、Set和Reset阈值电压均随之增加.对于Bi2O3薄膜厚度为31.2 nm的Au/Bi2O3/n+Si/Al结构,其Forming、Set和Reset阈值电压均低于4 V,符合存储器低电压工作的要求.
- 季振国王君杰毛启楠席俊华
- 关键词:薄膜厚度