国家高技术研究发展计划(2002AA31119Z)
- 作品数：3 被引量：7H指数：1
- 相关作者：孙长征罗毅王健蔡鹏飞田建柏更多>>
- 相关机构：清华大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光被引量：5
- 2002年
- 究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同 Mg掺杂浓度的 Ga N样品薄膜 ,经不同温度退火处理后的发光特性 .实验发现随着退火温度的升高 ,不同掺杂浓度的 Mg∶ Ga N材料的光致发光谱蓝带峰能量相差变小 ,经 85 0℃退火后蓝带集中在 2 .92 e V附近 .利用 Mg∶ Ga N材料内部补偿模型对此现象进行了分析 ,同时认为对于掺杂浓度较高的样品 ,85 0℃为最佳的退火温度 .
- 周晓滢郭文平胡卉孙长征罗毅
- 关键词：P型掺杂光致发光退火氮化镓
- 用于40Gb/s光电子器件的新型低成本硅基过渡热沉被引量：1
- 2005年
- 提出了一种新型低成本硅基过渡热沉,用以实现高达40Gb/s的高速光电子器件封装.采用高阻硅衬底作为热沉基底,制作出了0～40GHz范围内传输损耗小于0.165dB/mm的共面波导传输线.热沉中采用Ta2N薄膜电阻作为负载以实现器件的阻抗匹配,达到了0～40GHz范围内低于-18dB的宽带低反射特性.和传统硅基平台相比,新型硅基热沉更具有制作工艺简单、导热性能良好等优点.为了证明其实用性,热沉被应用于高速电吸收调制器的管芯级封装测试,获得了超过33GHz的小信号调制带宽特性,在硅基热沉上首次实现可用于40Gb/s系统的光电子器件.
- 熊兵王健蔡鹏飞田建柏孙长征罗毅
- 关键词：薄膜电阻
- 基于同一外延层结构的10Gb/s单片集成光发射模块(英文)被引量：1
- 2005年
- 利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容.集成器件阈值电流为12mA,在-2V偏置时的消光比为15dB,器件的小信号调制带宽超过10GHz.在10Gb/s 调制速率下经过35km单模光纤传输后,误码率为10-12时的功率代价小于1dB.
- 孙长征熊兵王健蔡鹏飞田建柏罗毅刘宇谢亮张家宝祝宁华
- 关键词：分布反馈激光器电吸收调制器增益耦合
