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InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究被引量：9: 2006年; 对不同温度（120～363K）下InGaN／GaN多量子阱（MQW）结构蓝光发光二极管（LED）的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I—V特性曲线斜率随温度变化不大。分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算，发现室温下其理想因子远大于2，并且随着温度的下降而升高；而隧穿能量参数随温度变化不大。这说明传统的扩散一复合栽流子输运模型不再适用于InGaN／GaNMQW蓝光LED。分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制约，外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度，导致其主要输运机制为栽流子的隧穿。; 刘诗文郭霞艾伟伟宋颖娉顾晓玲张蕾沈光地; 关键词：氮化镓蓝光发光二极管

A tunnel regenerated coupled multi-active-region large optical cavity laser with a high quality beam被引量：2: 2012年; A novel coupled multi-active-region large optical cavity structure cascaded by a tunnel junction is proposed to solve the problems of facet catastrophic optical damage (COD) and the large vertical divergence caused by the thin emitting area in conventional laser diodes. For a laser with three active regions, a slope efficiency as high as 1.49 W/A, a vertical divergence angle of 17.4 , and a threshold current density of 271 A/cm 2 are achieved. By optimizing the structural parameters, the beam quality is greatly improved, and the level of the COD power increases by more than two times compared with that of the conventional laser.; 崔碧峰郭伟玲杜晓东李建军邹德恕沈光地; 关键词：高光束质量多有源区隧道再生阈值电流密度

大功率半导体激光器线阵列电流扩展的研究: 2007年; 利用金属有机物气相淀积生长了980 nm GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器物质,通过常规工艺制成国际标准的1 cm半导体激光器线阵列。隔离槽的深度与电流扩展有着密切的关系,对出光功率等重要参数有着较大的影响。通过隔离槽变深度实验,发现在不超过有源层的前提下,输出功率和斜率效率与隔离槽深度均成正比,阈值电流与隔离槽深度成反比,隔离槽深度过深即超过有源层会导致激光器线阵列的主要参数下降,从而最佳腐蚀深度应不超过有源层,本实验为1.993μm。; 张楠崔碧峰刘斌邹德恕李建军高国张蕾王智群沈光地; 关键词：电流扩展

全反射镜结构对AlGaInP发光二极管发光效率的影响被引量：2: 2007年; 采用计算机模拟的方法,计算了SiO2/Al,ITO/Al,SiO2/Au和ITO/Au全方位反射镜结构和分布式布拉格反射镜的反射特性，用PECVD和溅射设备制作了Glass/SiO2/Au结构,用LP-MOCVD生长了DBR结构,并测量了其反射特性,实验与模拟结果基本吻合，从模拟和实验的结果得到,SiO2/AuODR结构在波长为630nm的垂直入射光下反射率很高,达到91%以上。对于不同角度的入射光,SiO2/Au在20°-85°都有很高的反射率,远高于DBR结构的反射率，在实际器件测试中,ODR结构的AlGaInP红光LED比无DBR结构的LED提高了115%,比DBR结构的LED提高了28%。这说明,ODR结构与DBR结构相比可以大幅提高红光LED的出光效率。; 孙昊韩军李建军邓军邹德恕宋小伟宋欣原沈光地; 关键词：模拟计算发光二极管

射频磁控溅射腔面镀膜半导体激光器的可靠性被引量：3: 2004年; 利用射频磁控溅射法对半导体激光器的腔面镀 Si O2 膜 ,并对镀膜后的器件在恒定电流下进行了加速寿命实验 ,结果表明镀膜后器件的特性得到了很大改善。器件平均输出功率提高了 49.8% ,平均阈值电流下降了 7% ,平均斜率效率提高了 5 0 % ,而且射频磁控溅射方法所镀的膜具有粘附性好、膜层致密、厚度易控制、稳定性好、成本低等优点 ,器件的可靠性也有明显提高。; 鲁鹏程郭伟玲邹德恕刘莹崔碧峰李建军沈光地; 关键词：半导体激光器射频磁控溅射腔面镀膜可靠性

808nm半导体激光器腔面硫钝化工艺研究被引量：6: 2006年; 对808 nm大功率半导体激光器腔面硫钝化处理的工艺进行了研究,发现腔面硫钝化可以提高激光器的输出特性以及其可靠性,输出功率提高了16.7%;经过1 500 h老化实验后,硫钝化的半导体激光器没有明显退化,而未处理的激光器退化严重,输出功率降低了36.8%。实验表明,硫钝化时间对激光器钝化效果有很大影响,激光器腔面硫钝化时间过长会造成其损伤,使其可靠性反而下降;硫钝化5 m in效果为最佳。; 田增霞崔碧峰徐晨舒雄文张蕾沈光地; 关键词：半导体激光器腔面硫钝化可靠性

高亮度LED中ODR反光镜反射率温度特性研究: 2008年; 对Al/SiO2、Al/ITO、Au/SiO2、Au/ITO构成的ODR(Omni-directional reflector)结构,对应400～800 nm的不同波长,在不同温度下,对于反光镜的反射率的影响,进行了研究。提出了在460 nm的蓝光波段,Al/SiO2合金温度在500～700 K时,反射率会达到最小值,温度在700 K以上时,又到常温值,且略微增加;Al/ITO反射率是随着温度变化单调下降的,因此要在Al反光镜的表面采用Ti/Al/Ti/Au的结构,改善反光镜的特性;620 nm的红光波段,Au/SiO2和Au/ITO的合金温度在700 K时,具有最理想的反射率,且Au/SiO2结构的反射效果要优于Au/ITO结构。用实验的方式进行了验证,分析了可能造成反射率变化的原因。; 宋欣原邹德恕张剑铭刘思南沈光地; 关键词：退火反射率

大光腔小垂直发散角InGaAs/GaAs/AlGaAs半导体激光器被引量：9: 2004年; 提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器 ,近场光斑宽度达到 1μm ,较普通半导体激光器提高了一个数量级 ,有效地解决了普通半导体激光器由于发光面积狭窄而导致的端面灾变性毁坏和垂直发散角大的问题 .采用低压金属有机物化学气相沉积方法生长了以C和Si分别作为掺杂剂的AlGaAs隧道结、GaAs InGaAs应变量子阱有源区和新型半导体激光器外延结构 ,并制备出器件 ,其垂直发散角为 2 0°,阈值电流密度为 2 77A cm2 ,斜率效率在未镀膜时达到 0 80W A .; 崔碧峰李建军邹德恕廉鹏韩金茹王东凤杜金玉刘莹赵慧敏沈光地; 关键词：半导体激光器大光腔隧道再生发散角砷化镓

隧道再生大功率半导体激光器瞬态热特性研究被引量：14: 2004年; 讨论了隧道再生大功率半导体激光器内部的热源分布 ,利用有限元方法模拟计算了其在脉冲工作下的二维瞬态热分布 ,同时测量了不同时刻波长的漂移量并换算为温升值 ,与计算结果进行了比较 ,二者基本吻合。模拟结果还表明靠近衬底的有源区温度略高于靠近热沉的有源区温度 ;用金刚石铜热沉替换铜热沉 ,还可以很好地降低器件内部温升。; 鲁鹏程崔碧峰李建军廉鹏郭伟玲邹德恕沈光地; 关键词：激光技术半导体激光器有限元

隧道级联半导体激光器的光束质量因子被引量：2: 2004年; 运用波导模式理论和光束传输的非傍轴矢量矩理论 ,对隧道级联 In Ga As/ Ga As/ Al Ga As半导体激光器的光束质量进行了理论研究 .分析了隧道级联半导体激光器内限制层厚度和垂直方向光束质量因子的关系 .结果表明 ,在隧道结耦合距离内 ,隧道结不仅起到了再生载流子的作用 ,也作为无源波导拓展了光场 ,减小了垂直发散角 ,降低了光束质量因子 .根据模拟结果设计并制备了高光束质量 ,小垂直发散角的隧道级联耦合大光腔半导体激光器 ,其阈值电流密度为 2 71A/ cm2 ,斜率效率为 1.4 9W/ A,垂直发散角为 17.4°,光束质量因子为 1.; 崔碧峰邹德恕李建军郭伟玲鲁鹏程刘莹王婷沈光地; 关键词：隧道级联光束质量因子大光腔半导体激光器

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北京市自然科学基金(4032007)

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