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北京市自然科学基金(4032005)

作品数：8 被引量：7H指数：2
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文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信

主题

  • 6篇异质结
  • 5篇晶体管
  • 4篇异质结双极晶...
  • 4篇双极晶体管
  • 4篇SI/SIG...
  • 3篇锗硅
  • 3篇SIGE_H...
  • 3篇HBT
  • 2篇离子注入
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电路
  • 1篇电路模型
  • 1篇电阻
  • 1篇异质结晶体管
  • 1篇噪声
  • 1篇噪声系数
  • 1篇噪声性能
  • 1篇锗硅合金

机构

  • 8篇北京工业大学

作者

  • 8篇陈建新
  • 7篇史辰
  • 7篇杨维明
  • 3篇徐晨
  • 3篇高铭洁
  • 3篇李振国
  • 2篇刘素娟
  • 1篇邹德恕

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 2篇微电子学
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2006
  • 5篇2005
  • 2篇2004
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
用离子注入和掩埋金属自对准技术改善Si/SiGe HBT性能
2005年
在器件纵向结构确定后,常规工艺制作的SiGe/SiHBT噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,高频性能不理想主要是由于其基极和发射极台面面积较大造成的;为达到改善其高频与低噪声性能的目的,在不改变光刻工艺精度的情况下,采用离子注入和掩埋金属自对准工艺方法完成了器件制作;与传统制作方法相比,前者可减小外基区电阻,后者可以减小电极接触电阻,并能使器件的台面面积做得更小。在此基础上,我们测试了器件的最小噪声系数与最高截止频率,结果表明:用自对准工艺制作的器件的高频噪声与频率性能都显著改善。
杨维明史辰徐晨陈建新
关键词：离子注入HBT噪声系数
用离子注入工艺改善Si/SiGe HBT高频噪声性能
2005年
常规工艺制作的SiGe/Si HBT高频噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,为减小基极电阻从而达到改善其高频噪声的目的,本文采用离子注入自对准工艺方法进行器件制作,并测试出器件的直流与最小噪声系数有显著改善。
杨维明史辰徐晨陈建新
关键词：离子注入异质结双极晶体管基极电阻
锗硅低噪声放大器的研究进展被引量：1
2005年
介绍了采用锗硅技术的低噪声放大器的基本理论,给出了一个2GHz低噪声放大器的例子,并总结了近来采用锗硅技术的各种频段的低噪声放大器研究情况。最后,介绍了锗硅技术的广阔应用前景。<正>The theory of LNAs using SiGe bipolar technology is presented. And a 2GHz LNA based SiGe technology is presented in this article and state-of-the-art in SiGe based devices in different areas are described. Finally, the application of SiGe-based device was summarized.
李振国陈建新高铭洁
SiGe HBT双端口网络参数模型和模拟
2006年
针对等效电路模型中应用频率范围窄、精度低以及在高频器件分析过程中与网络分析法的兼容性差等问题,由交流I-V方程出发,推导得到使用散射参数描述的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的双端口网络参数模型．着重分析了Si／SiGe异质结和基区结构对器件交流性能的作用,并尽量避免省略物理量和对频率上限的限制．与等效电路模型相比,模型的频域精度由半定量提高至优于5％,并将适用频率由特定范围扩展至只计入本征参数时的特征频率fT,涵盖全部SiGe HBT的小信号工作频段,为器件的设计、优化和应用提供了一种宽频带和高精度的定量模拟方法．
史辰杨维明刘素娟陈建新
关键词：锗硅异质结
Si/SiGe异质结晶体管的参数提取与特性模拟
2004年
用实验测量和理论计算相结合的方法提取了Si/SiGe 异质结晶体管的直流和高频参数,分别在PSPICE和MATLAB软件平台上模拟并分析了器件的直流和高频特性,模拟结果与实际测量的结果相吻合,表明本文的提取方法可行、参数提取结果有效。
杨维明陈建新邹德恕史辰李振国高铭洁
关键词：异质结晶体管PSPICEMATLAB
基于SOS/SOI绝缘衬底的Si/SiGe HBT设计
2004年
　着重讨论了衬底阻抗对HBT器件频率性能的劣化机制。基于双口网络理论,定量分析了fT和fm与衬底电阻率的关系;采用SOS/SOI绝缘衬底和自行设计的岛型隔离方法,抑制了绝大多数容性寄生参数;同时,围绕绝缘衬底进行Si/SiGeHBT的横向/纵向结构设计,开发出发射极自对准工艺方法,用于降低接触电阻和一定特征尺寸下的结面积,提高了HBT的频率性能。
史辰陈建新杨维明
关键词：异质结双极晶体管HBT
采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻被引量：2
2005年
采用新型调制掺杂量子阱基区结构和掩埋金属自对准工艺方法,在器件的纵向结构和制备手段上同时进行改进,使超薄基区小尺寸SiGeHBT的基区横向电阻和接触电阻分别降低42%和55%以上,有效解决了基区串联电阻的问题。
史辰杨维明刘素娟徐晨陈建新
关键词：锗硅异质结双极晶体管
基于小信号等效电路模型的SiGe HBT高频特性模拟分析被引量：5
2005年
给出了fT为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理 论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据 电路的拓扑结构,分析了管壳封装带来的寄生参数对器件高频性能的影响;根据稳定性判据,计算 了器件的稳定性与工作频率之间的关系。为器件的设计和应用提供了理论依据。
杨维明陈建新史辰李振国高铭洁
关键词：锗硅合金异质结双极晶体管电路模型
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