国家自然科学基金(60576001)
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 相关作者：余金中陈松岩林桂江李成赖虹凯更多>>
- 相关机构：厦门大学中国科学院集美大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省农科院青年科技人才创新基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计被引量：5
- 2006年
- 使用nextnano^3模拟软件计算Si／Si1-xGex／Si量子阱的能带结构，对Si／SiGe量子级联激光器有源区的能带结构进行设计，结果表明使用Ge组分为0．27～0．3，量子阱宽度为3nm的SiGe合金与垒宽为3nm的Si层构成对称应变级联异质结构，有利于优化THz Si／SiGe量子级联激光器结构。
- 林桂江赖虹凯李成陈松岩余金中
- 关键词：SI/SIGE量子级联激光器
- THz Si/SiGe量子级联激光器波导模拟
- ＜正＞Si/SiGe 量子级联激光器是利用空穴在价带子带间的带内跃迁,克服硅、锗及其合金材料的间接带隙的缺点,实现硅发光。在太赫兹波段,如果采用传统的递变折射率波导,要求波导厚度不小于激光在介质中波长的一半,由于硅锗有较...
- 陈锐林桂江邓和清陈松岩
- 关键词：SI/SIGE太赫兹量子级联激光器波导
- 文献传递
- 红外微腔探测器中金属支撑柱的制备工艺研究
- 2008年
- 基于一般正胶光刻工艺的剥离工艺，所需胶膜的厚度要大大超过剥离薄膜的厚度.这样在剥离线宽小、厚度大的微腔结构探测器的金属互连柱图形时就会存在光刻分辨率低、剥离难的问题.本文重点研究了基于AZ5214E光刻胶图像反转性能的剥离工艺，对图像反转光刻所特有的反转烘、掩模曝光、泛曝光工艺条件进行了详细的对比实验.结果表明：当反转烘温度为96-98℃，第一次掩模曝光时间和泛曝光时间分别为8.1 s、8.4 s时，可以得到较好的光刻图形.通过电子束蒸发Ti，成功剥离出高2.40μm、面积3.0μm×3.0μm的Ti微互连柱.此工艺的优点在于分辨率高，胶膜与剥离薄膜的厚度比接近1时，也能剥离出所要图形，可以用于制备MEMS微腔器件中的微互连柱.
- 何熙陈松岩方辉罗仲梓谷丹丹
- Si/SiGe量子级联激光器研究进展被引量：1
- 2006年
- Si/SiGe量子级联激光器是一种新型的带内跃迁的红外光源,突破了Si基材料间接带隙特性对光跃迁的限制.Si/SiGe量子级联激光器的开发将为实现太赫兹有源器件的硅基集成产生深远影响.文章介绍了Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,以及这类激光器在能带设计、材料生长和波导制作方面的最新进展.
- 韩根全林桂江余金中
- 关键词：超晶格太赫兹
- U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制
- 2008年
- 为了提高硅MSM结构光电探测器的光电响应度,制备了U型凹槽电极结构的探测器。5 V偏压下,对650 nm波长入射光的绝对光电响应度测试表明,凹槽电极结构的探测器最大光电响应度值为0.486 A/W,比同样尺寸的平版结构光电探测器提高了约6倍。文中也对比了具有抗反射膜和不具有抗反射膜的器件相对响应光谱的差别,并且比较分析了叉指间隙分别为5μm和10μm器件光电响应的不同。
- 黄燕华陈松岩李成蔡加法余金中
- 关键词：探测器
- Si/SiGe量子级联激光器的能带设计被引量：5
- 2007年
- 详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6k.p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGex/Si量子阱价带量子化的空穴能级本征值及其色散关系,分析Si/Si1-xGex/Si量子阱空穴态能级间距随阱宽和组分的变化规律,最后应用计算结果讨论了Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带设计,有益于优化Si/SiGe量子级联激光器结构.
- 林桂江周志文赖虹凯李成陈松岩余金中
- 关键词：量子级联激光器
- 太赫兹Si/SiGe量子级联激光器波导模拟(英文)
- 2008年
- 波导层结构设计是制备太赫兹(THz)量子级联激光器的关键问题之一.本文基于德鲁得( Drude)模型,利用时域有限差分(FDTD)法,对Si/Si Ge量子级联激光器的波导层进行优化设计,从理论上对传统的递变折射率波导、单面金属波导、双面金属波导以及金属/金属硅化物波导横磁模(TM模)的模式损耗和光场限制因子进行了对比分析.结果表明,金属/金属硅化物波导不但可以减小波导损耗,而且有很高的光学限制因子,同时其工艺也比双面金属波导容易实现,为Si/Si Ge太赫兹量子级联激光器波导层的设计提供了一定的理论指导.
- 陈锐林桂江陈松岩李成赖虹凯余金中
- 关键词：太赫兹SI/SIGE量子级联激光器波导
