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河北省自然科学基金(E2005000057)

作品数：2 被引量：0H指数：0
相关作者：刘彩池郝秋艳石义情孙世龙孙文秀更多>>
相关机构：河北工业大学天津大学更多>>
发文基金：河北省自然科学基金天津市自然科学基金河北省教育厅科研基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇氧沉淀
  • 1篇直拉硅
  • 1篇内吸杂
  • 1篇微缺陷
  • 1篇吸杂
  • 1篇CZSI
  • 1篇FPDS
  • 1篇VOID

机构

  • 2篇河北工业大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 2篇郝秋艳
  • 2篇刘彩池
  • 1篇赵丽伟
  • 1篇赵彦桥
  • 1篇张建强
  • 1篇姚素英
  • 1篇孙文秀
  • 1篇孙世龙
  • 1篇石义情

传媒

  • 1篇南开大学学报...
  • 1篇中国材料科技...

年份

  • 2篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
快速热处理在直拉硅内吸杂技术中的应用
2006年
硅片直径的不断增大，特征线宽的不断减小，吸除器件有源区域内的金属杂质至关重要。传统的内吸杂已经不能完全满足器件工艺的要求，因此快速热处理技术被引入到直拉硅片的内吸杂工艺中。快速热处理可以使空住在硅中按深度分布，在后续的热处理中促进氧沉淀的形成，从而得到理想的清洁区和氧沉淀密度。探索快速热处理的条件以达到良好的内吸杂效果，具有重要的实用意义。
孙世龙赵丽伟赵彦桥石义情郝秋艳刘彩池
关键词：直拉硅氧沉淀
掺杂剂种类对大直径直拉硅单晶中void微缺陷的影响
2006年
研究了掺杂剂原子种类及快速热处理技术对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响.实验结果发现,掺入半径较大杂质原子的硅片,空洞型微缺陷密度相对较高,掺入半径较小杂质原子的硅片,空洞型微缺陷的密度相对较低.高温快速热处理后,硅片中FPD s的密度都有很大程度降低,而A r气氛退火对vo id微缺陷密度的影响要优于N2气氛.轻掺B硅片在O2气氛退火后FPD s密度下降最多,而重掺Sb硅片在O2气氛退火后FPD s密度下降最少.
郝秋艳孙文秀刘彩池张建强姚素英
关键词：CZSIFPDS
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