国家自然科学基金(60576021)
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
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- HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析
- 2007年
- 采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。
- 朱秋玲徐静平邹晓黎沛涛李春霞
- 关键词：HFO2介电常数界面态密度
- HfTiO高κ栅介质Ge MOS电容特性研究
- 2008年
- 采用反应磁控共溅射方法在Ge衬底上制备亚-nm等效氧化物厚度(EOT)的HfTiO高κ栅介质薄膜,研究了湿N2和干N2气氛退火对GeMOS电容电特性的影响。隧穿电子显微镜、椭偏仪、X射线光电子频谱、原子力显微镜以及电特性的测量结果分别表明,与干N2退火比较,湿N2退火能明显抑制不稳定的低κGeOx界面层的生长,从而减小栅介质厚度,降低栅介质表面粗糙度,有效提高介电常数,改善界面质量和栅极漏电流特性,这都归因于GeOx的易水解性。还研究了Ti靶溅射功率对HfTiO栅介质GeMOS器件性能的影响。
- 邹晓徐静平
- 关键词：界面层
- Preparation of high-quality gate dielectrics for Ge MOSFET’s in wet ambients
- Germanium MOS capacitors with highquality gate dielectrics are fabricated by novel processing in wet ambients....
- P.T.LaiJ.P.XuC.X.LiX.ZouW.B.Chen
- 表面钝化对HfTiON栅介质Ge MOS电容性能的影响
- 2008年
- 通过NO、N2O对Ge衬底进行表面钝化,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控共溅射方法制备HfTiN薄膜,并利用湿N2气氛退火,将HfTiN转化为HfTiON高κ栅介质。研究了表面钝化对MOS器件性能的影响,结果表明,湿NO表面钝化能改善界面质量,有效降低MOS电容的栅极漏电流,增强器件的可靠性。
- 邹晓徐静平黎沛涛李春霞
- 关键词：表面钝化界面层
- Gate-Leakage Model of Ge MOS Capacitor with High-k Gate Dielectric
- Gate-leakage model of n-Ge MOS capacitor with stacked high-k gate dielectric in inversion region is developed ...
- Xiao ZouJing-Ping XuP.T.LaiChun-Xia LiXue-Feng Zhang
- 关键词：TUNNELING
- 应变Si_(1-x)Ge_xpMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型被引量：4
- 2006年
- 在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Si1-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱电荷对载流子的库仑散射作用.利用该模型对室温下空穴迁移率随应变的变化及影响空穴迁移率的因素进行了分析讨论.
- 张雪锋徐静平邹晓张兰君
- 关键词：P-MOSFET空穴迁移率
- 湿N_2退火HfTiO和HfO_2栅介质Ge MOS电特性研究被引量：3
- 2007年
- 采用反应磁控溅射方法在Ge衬底上分别制备了HfTiO和HfO2高κ栅介质薄膜,并研究了湿N2和干N2退火对介质性能的影响。由于GeOx在水气氛中的水解特性,湿N2退火能分解淀积过程中生长的锗氧化物,降低界面态和氧化物电荷密度,有效提高栅介质质量。测量结果表明,湿N2退火Al/HfTiO/n-GeMOS和Al/HfO2/n-GeMOS电容的栅介质等效厚度分别为3.2nm和3.7nm,-1V栅偏压下的栅极漏电流分别为1.08×10-5A/cm2和7.79×10-6A/cm2。实验结果还表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入提高了介电性能,但是Ti的扩散也使得界面态密度升高。
- 邹晓徐静平朱秋玲黎沛涛李春霞
- 关键词：界面层
