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天津市应用基础与前沿技术研究计划(08JCYBJC13100)

作品数:6 被引量:31H指数:5
相关作者:陶科张德贤蔡宏琨隋妍萍王林申更多>>
相关机构:南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室更多>>
发文基金:天津市应用基础与前沿技术研究计划天津市科技攻关计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信电气工程动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 6篇电池
  • 5篇太阳电池
  • 4篇柔性衬底
  • 4篇薄膜太阳电池
  • 4篇衬底
  • 2篇溅射
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇非晶硅
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇性能研究
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电膜
  • 1篇陷光结构
  • 1篇量子效率
  • 1篇模拟计算
  • 1篇硅薄膜太阳电...
  • 1篇硅电池

机构

  • 6篇南开大学
  • 1篇天津市光电子...

作者

  • 6篇张德贤
  • 6篇陶科
  • 5篇蔡宏琨
  • 5篇隋妍萍
  • 4篇王林申
  • 3篇姜元建
  • 3篇赵敬芳
  • 3篇薛颖
  • 1篇孙云
  • 1篇席强
  • 1篇靳果
  • 1篇谢轲
  • 1篇胡居涛
  • 1篇蔡宏昆
  • 1篇赵静芳

传媒

  • 3篇光电子.激光
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 4篇2009
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池界面处理的研究被引量:7
2009年
通过实验和模拟计算对比分析了i/p界面过渡层对太阳电池性能的影响.结合具体实验工艺参数,模拟计算了不同带隙和缺陷态密度的过渡层对太阳电池的影响,同时结合实验情况重现了宽带隙高缺陷态密度过渡层对太阳电池的损伤,为实验结果提供了理论依据.通过优化调整i/p界面过渡层的制备方法得到了转换效率为7.09%的聚酰亚胺衬底非晶硅薄膜太阳电池.
蔡宏琨陶科王林申赵敬芳隋妍萍张德贤
关键词:柔性衬底太阳电池AMPS模拟计算
柔性PEN衬底ZnO:Ga薄膜的性能研究被引量:7
2011年
以PEN柔性薄膜作为衬底,采用直流对靶磁控溅射的方法,在室温下制备ZnO:Ga薄膜。研究了不同溅射功率和不同溅射压强下制备出的薄膜表现出不同的光学和电学特性。经过溅射压强和溅射功率的优化,获得薄膜厚约900nm、电阻率为7.72×10-4Ω.cm和可见光平均透过率超过75%的PEN衬底ZnO:Ga薄膜。将其应用于PEN透明柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池中,得到了转换效率为6.4%的太阳电池。
谢轲蔡宏琨陶科胡居涛靳果张德贤
关键词:PENZNO直流磁控溅射非晶硅电池
柔性衬底太阳电池陷光结构的研究
2009年
讨论了粗糙聚酰亚胺(PI)衬底和具有较高粗糙度的背反射电极对柔性衬底薄膜太阳电池的影响。选择具有天然纹路的PI作为太阳电池的衬底增加光在电池中的光程。采用热辐射加热蒸发方法显著提高铝背反射电极的粗糙度,它是常规方法制备的约4倍。粗糙PI和背反射电极形成的陷光结构使电池的短路电流提高了2mA/ cm^2,量子响应(QE)短波部分得到提高且最高点红移。经QE和原子力测试表明,电池效率提高的主要原因是粗糙的背反射电极导致面电极ZnO的形貌发生明显变化所致。
张德贤蔡宏琨隋妍萍陶科席强薛颖孙云
关键词:太阳电池柔性衬底陷光结构粗糙度
Si基薄膜太阳电池绒面ZGO透明导电膜的研究被引量:8
2010年
采用孪生对靶直流磁控溅射的方法在室温下制备高质量的Ga掺杂ZnO(ZGO)透明导电薄膜,用HCl腐蚀的方法获得满足光散射特性的绒面ZGO薄膜。制备的ZGO样品为具有六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)方向的择优取向。腐蚀后,绒面ZGO薄膜的晶粒度减小,电阻率基本不变。在可见光范围内,绒面ZGO的反射率比平面ZGO的反射率下降了10%左右。将绒面ZGO薄膜应用于p-i-n型非晶Si薄膜太阳电池中,有效提高了太阳电池性能,使得电池的短路电流提高到17.79 mA/cm2,电池的转换效率增加到7.23%。
隋妍萍姜元建蔡宏琨陶科王林申赵静芳张德贤
关键词:太阳电池
柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池量子效率的研究被引量:5
2009年
量子效率是太阳电池对光的吸收能力的评定标准之一。本文通过对柔性衬底倒结构n-i-p非晶硅薄膜太阳电池量子效率的测量,同时结合本征材料吸收特性,讨论了衬底温度和反应压强对太阳电池量子效率的影响。结果表明:本征非晶硅薄膜的吸收特性是影响太阳电池量子效率的主要因素,同时光生载流子在本征层和界面处的复合也会对太阳电池的量子效率有所影响。经过反应条件优化得到了转换效率为5.67%的聚酰亚胺衬底太阳电池。
张德贤薛颖蔡宏琨陶科姜元建赵敬芳王林申隋妍萍
关键词:柔性衬底量子效率非晶硅薄膜
柔性衬底硅薄膜太阳电池中ZGO薄膜的应用被引量:5
2009年
在室温下,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺,在玻璃衬底上制备出高质量的Ga掺杂ZnO(ZnO:Ga)透明导电膜。研究了薄膜厚度对薄膜的结构、光学及电学特性的影响。制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。优化反应条件,薄膜的电阻率达到4.69×10-4Ω.cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。将不同厚度的ZnO:Ga薄膜(350~820 nm)在柔性聚酰亚胺衬底nip非晶硅(a-Si)薄膜太阳电池中,随厚度的增加,电池的填充因子和效率都得到了提高,得到聚酰亚胺衬底效率7.09%的a-Si薄膜太阳电池。
张德贤姜元建蔡宏昆薛颖陶科王林申赵敬芳隋妍萍
关键词:磁控溅射柔性衬底太阳电池
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