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国家重点基础研究发展计划(2006CB708310)

作品数:7 被引量:13H指数:2
相关作者:于军陈曜周治平韩祥云张端明更多>>
相关机构:华中科技大学广西大学北京大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 2篇性能研究
  • 2篇纳米
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇WAVEGU...
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇淀积
  • 1篇多模
  • 1篇多模干涉
  • 1篇氧化锡
  • 1篇氧化锌
  • 1篇有限差分时域
  • 1篇原子层淀积
  • 1篇品质因数
  • 1篇微环
  • 1篇纳米棒
  • 1篇纳米带

机构

  • 4篇华中科技大学
  • 2篇北京大学
  • 2篇广西大学

作者

  • 2篇周治平
  • 2篇高义华
  • 2篇陈曜
  • 2篇黄德修
  • 2篇于军
  • 2篇张端明
  • 2篇韩祥云
  • 1篇张翔晖
  • 1篇孙敏
  • 1篇冯俊波
  • 1篇王月娇
  • 1篇张宏意

传媒

  • 3篇Chines...
  • 2篇纳米科技
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇华中科技大学...

年份

  • 6篇2009
  • 1篇2008
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
纳米氧化锌的制备及其光致发光性能研究被引量:1
2008年
采用低温蒸发和气相输运方法,研制出ZnO的纳米棒-纳米钉、纳米钉类球状聚集体和具有钉状结构的纳米梳。利用透射电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌与结构进行了表征,阐明了ZnO纳米结构的生长机理。用荧光光谱仪测量了退火前后纳米棒-纳米钉结构的光致发光谱,结果显示,在380nm处两者均存在近紫外峰,在500nm处出现绿色宽谱峰,而退火2h后近紫外发光峰窄而强,且发生了少许蓝移,此现象可归因于退火后的ZnO纳米结构具有较低的点缺陷浓度。
孙敏张宏意韩祥云高义华张端明黄德修
关键词:光致发光
基于光学微环的化学传感器被引量:8
2009年
以SiN为材料,采用与CMOS工艺相兼容的技术,制备了波导宽度为1μm,半径为400μm的SiN光学微环。经测量,其品质因数(Q值)高达20 000,自由光谱范围(FSR)为0.5 nm。提出了采用光学微环传感器、单波长光源和光功率计对待测物进行测量的方案。实验证明,该方案与传统的采用光谱仪测量谐振峰值漂移的方法相比,可以取得更高的系统探测灵敏度。最后,利用微环传感器对葡萄糖溶液浓度进行测量,灵敏度高达10-4折射率单元(RIU),证明了该传感器可以应用于溶液检测领域。
陈曜李振宇周治平于军
关键词:品质因数
Compact and broadband waveguide taper based on partial bandgap photonic crystals
2009年
Partial bandgap characteristics of parallelogram lattice photonic crystals are proposed to suppress theradiation modes in a compact dielectric waveguide taper so as to obtain high transmittance in a largewavelength range.Band structure of the photonic crystals shows that there exists a partial bandgap.Thephotonic crystals with partial bandgap are then used as the cladding of a waveguide taper to reduce theradiation loss efficiently.In comparison with the conventional dielectric taper and the complete bandgapphotonic crystal taper,the partial bandgap photonic crystal taper has a high transmittance of above 85%with a wide band of 170 nm.
侯金郜定山吴华明周治平
关键词:介质波导
Nanotaper mode converter based on silicon pillar waveguide
2009年
A two-dimensional (2D) optimized nanotaper mode converter is presented and analyzed using the finitedifferencetime-domain (FDTD) method.It can convert the mode size in a silicon pillar waveguide (PWG)from 4 μm to 1 μm over a length of 7 μm and achieve a transmission efficiency of 83.6% at a wavelengthof 1.55 μm.The dual directional mode conversion of the nanotaper and its ability to perform modecompression and expansion are also demonstrated.The broadband with high transmittance is satisfied inthis structure.Using this silicon-based nanotaper,mode conversion between integrated photonic devicescan be more compact and efficient.
易华祥祝阳周治平
关键词:硅片有限差分时域FDTD法
氮化铝薄膜的原子层淀积制备及应用被引量:1
2009年
以三甲基铝(TMA)和氨气(NH3)为源,在原子层淀积设备上实现了氮化铝薄膜的制备.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪和原子力显微镜对氮化铝薄膜的生长速率、成分和粗糙度进行了分析,优化了薄膜淀积工艺.以每周期单分子层的生长模式进行氮化铝薄膜淀积,淀积速率为每周期0.205 nm,厚度为61 nm的薄膜粗糙度为0.69 nm.利用原子层淀积氮化铝薄膜的保型性,通过nm级薄膜厚度的控制,制备了复杂的环形光子晶体器件,其工艺精度高达50 nm.
陈曜冯俊波周治平于军
关键词:氮化铝原子层淀积保型性粗糙度
氧化锡纳米带的制备和光致发光性能研究被引量:2
2009年
采用常压热蒸发锡粉的方法制备出尺寸均匀、表面光滑致密的SnO2纳米带。通过高温退火处理,氧化锡纳米带从Sn304和SnO2的混合相转变为SnO2金红石相。深入研究了SnO2纳米结构的光致发光性能,结果显示,退火前SnO2纳米带在600nm附近有一较强的发光峰,在375nm有一弱发光峰;退火处理后,375nm处的PL峰消失,此现象可能是由于退火后纳米带中晶格缺陷减少而导致。
张翔晖王月娇韩祥云高义华黄德修张端明
关键词:氧化锡纳米带光致发光
Optimization of line-tapered MMI devices using a genetic algorithm被引量:1
2009年
We discuss the optimal design of line-tapered multimode interference (MMI) devices using a genetic algorithm (GA).A 1×4 MMI device is designed as a numerical example.Compared with the conventional design based on self-imaging theory,the present method demonstrates superior performance with low insertion loss and small non-uniformity.
肖永生周建江李淑静黄丽贞郜定山吴华明
关键词:多模干涉成像原理非均匀性
共1页<1>
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