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教育部重点实验室开放基金(ZMPL07XN0005)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇电容
  • 1篇电容器
  • 1篇电性能
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷电容
  • 1篇陶瓷电容器
  • 1篇热压
  • 1篇热压烧结
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇SIC/C
  • 1篇CTO

机构

  • 1篇郑州大学

作者

  • 1篇陈德良
  • 1篇王海龙
  • 1篇张锐
  • 1篇关莉
  • 1篇乔建房
  • 1篇李明亮

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
热压烧结SiC/CCTO陶瓷电容器的工艺和性能
2009年
首先采用固相法合成CaCu3Ti4O12(CCTO)粉体,与SiC粉体均匀混合后,采用真空热压制备了SiC/CCTO复合陶瓷电容器。采用DSC-TG技术分析了SiC/CCTO复合粉体的热行为,采用XRD、SEM等手段对样品进行表征,研究了SiC/CCTO复合陶瓷电容器的介电性能,并对其介电机理进行了探讨。结果发现,在950℃和30MPa的热压条件下制备出的SiC/CCTO复合陶瓷电容器具有最高的介电常数εr≈3×10(81kHz),分析认为其介电机理属于阻挡层机制,载流子在SiC与CCTO界面处聚积,形成空间电荷极化。
王海龙乔建房陈德良关莉李明亮张锐
关键词：陶瓷电容器热压烧结介电性能
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