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中国博士后科学基金(20110490075)

作品数:5 被引量:7H指数:1
相关作者:罗向东戴珊珊何素明王金斌张波更多>>
相关机构:南通大学中国科学院湘潭大学更多>>
发文基金:中国博士后科学基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇单光子
  • 1篇单光子探测
  • 1篇氮氧化硅
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇电池
  • 1篇钝化
  • 1篇氧化硅
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇偏置
  • 1篇漂移区
  • 1篇脉冲电流
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇击穿电压
  • 1篇基于FPGA
  • 1篇光子
  • 1篇硅太阳能电池
  • 1篇恒流
  • 1篇恒流控制

机构

  • 4篇南通大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇湘潭大学

作者

  • 4篇罗向东
  • 2篇戴珊珊
  • 1篇张波
  • 1篇王金斌
  • 1篇余晨辉
  • 1篇刘培生
  • 1篇何素明
  • 1篇张小龙
  • 1篇翟宪振
  • 1篇何继华

传媒

  • 2篇测控技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2012
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
C8051控制的高精度偏置电源系统的设计
2015年
利用超导材料的高灵敏特性对微弱信号的探测是高温超导应用研究的重要内容。而超导传感器需要在临界状态并处在一定偏置下才能将探测的微弱信号转换为电信号并传给后续处理模块。介绍了为基于NbN材料的超导纳米线单光子探测实验系统设计的一种专用偏置电源。选用C8051F340作为该电源的主控芯片,设计出一套主要功能为4路并行输出、在0-200μA内可调且稳定输出0.1μA精度的恒流偏置装置。该系统由两组电池轮流为模拟输出部分供电,做到与数字电路供电隔离。电池则在使用和充电间进行切换。按键控制和显示,以及Bias-Tee和LNA都整合在机箱上,极大地方便实验时超导输入的接入和放大信号的输出分析。
包发波李春佩罗向东
关键词:高温超导单光子探测偏置
An Improvement on the Junction Temperature Measurement of Light-Emitting Diodes by using the Peak Shift Method Compared with the Forward Voltage Method被引量:1
2012年
The junction temperature of red,green and blue high power light emitting diodes(LEDs)is measured by using the emission peak shift method and the forward voltage method.Both the emission peak shift and the forward voltage decrease show a linear relationship relative to junction temperature.The linear coefficients of the red,green and blue LEDs for the peak shift method and the forward voltage method range from 0.03 to 0.15 nm/℃ and from 1.33 to 3.59 mV/℃,respectively.Compared with the forward voltage method,the peak shift method is almost independent of bias current and sample difference.The variation of the slopes is less than 2%for the peak shift method and larger than 30%for the forward voltage method,when the LEDs are driven by different bias currents.It is indicated that the peak shift method gives better stability than the forward voltage method under different LED working conditions.
何素明罗向东张波傅雷程立文王金斌陆卫
关键词:DIODESMETHOD
等离子体增强化学气相沉积工艺制备SiON膜及对硅的钝化被引量:6
2014年
研究了等离子体增强化学气相沉积工艺条件对氮氧化硅膜的生长厚度及折射率的影响以及氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅片的钝化效果.实验结果表明,NH3的流量和N2O/SiH4流量比对氮氧化硅膜的影响较大,薄膜折射率能从1.48变化到2.1,厚度从30—60 nm不等.腔内压力和射频功率主要影响膜厚,压力越大,功率越大,沉积速率加快,生成的膜越厚.温度对膜厚和折射率的影响可以忽略.钝化效果显示,在有无NH3下,N2O/SiH4流量比分别为20和30时,退火后氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅的钝化效果最好,其潜在电压和少子寿命分别为652 mV,56.7μs和649 mV,50.8μs,均优于参照组氮化硅膜样品的钝化效果.
何素明戴珊珊罗向东张波王金斌
关键词:氮氧化硅等离子体增强化学气相沉积
具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS的器件特性研究
2012年
本文提出一种具有高斯型的倾斜表面漂移区的LDMOS结构。P阱、沟道、源区、栅极等位于高斯中心的一侧,而漏端位于高斯中心的另一侧并靠近高斯中心,器件既具有倾斜表面漂移区的高耐压性,又具有VDMOS结构的高开态击穿特性和良好的安全工作区域。我们研究了高斯表面的弯曲程度对高斯型倾斜表面漂移区的影响。结果表明,P阱的长时间退火对具有高斯表面的漂移区的掺杂浓度分布有一定影响。具有高斯表面的倾斜漂移区的LDMOS结构在不同弯曲程度下器件耐压性和表面电场分布均匀性不同。高斯弯曲参数P在0.5左右时开态耐压性能最优,并且表面电场分布相对均匀;当弯曲参数P增大时,击穿特性基本饱和或略有下降。
罗向东翟宪振戴珊珊余晨辉刘培生
关键词:LDMOS漂移区表面电场
基于FPGA的高速脉冲恒流控制系统的设计
2014年
结温是表征发光二极管品质和寿命的一个关键因素,针对电致发光光谱检测法测量LED芯片结温需要脉冲电流精确可控的突出问题,以Xilinx XC3S400 FPGA为核心,设计并开发了一套高速度、高精度的脉冲恒流控制系统。该系统根据从PC接收的数据精确控制LED上脉冲电流大小、脉冲周期、脉冲宽度,同时在保证脉冲电流的升降时间小于5μ~s的情况下将过冲控制在5%内,以避免因冲击电流过大而损坏LED,为非接触式测量LED灯具中芯片结温提供了极大的方便。该系统稳定可靠,效果良好。
何继华张小龙罗向东
关键词:脉冲电流FPGA场效应管恒流控制
共1页<1>
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