云南省科技厅科研基金(2009CC012)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 相关作者：姚丽杨园静涂洁磊李雷更多>>
- 相关机构：大理学院楚雄师范学院文山学院更多>>
- 发文基金：云南省科技厅科研基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 生长温度对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响研究被引量：2
- 2014年
- InAs/GaAs量子点的生长形貌和特性受不同生长环境和生长条件影响。本文借助光致发光光谱(PL)特性表征方法,通过实验生长,对比研究不同生长温度下获得的量子点性能,结合当前三结叠层GaInP/GaAs/Ge(2-terminal)电池存在的问题,以及该电池的设计、制作要求,分析了InAs量子点的不同生长温度对于具有量子点结构的中电池吸收的影响。
- 杨园静涂洁磊李雷姚丽
- 关键词：INAS生长温度
- InAs/GaAs量子点生长中应力分析
- 2013年
- 围绕InAs(InGaAs)/GaA叠层量子点电池的制作,本文通过文献研究和对近邻面生长实验研究认为,InAs/GaAs量子点生长形貌和特性受生长环境条件和生长条件影响。其中,客观、不可改变的外延层与衬底晶格常数、生长台面、超晶格结构等环境条件对量子点生长最为重要。这些环境条件通过生长应力,决定了量子点生长中的有序成核、生长、合并,直至出现缺陷的多晶体生长,其作用贯穿整个量子点生长过程。
- 杨园静涂洁磊李雷姚丽
- 关键词：INAS
