国家教育部博士点基金(20020533001)
- 作品数：21 被引量：66H指数：5
- 相关作者：徐慧马松山刘小良李燕峰宋招权更多>>
- 相关机构：中南大学湖南师范大学上海理工大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术生物学机械工程更多>>
- 一维二元非对角关联无序体系交流跳跃电导特性被引量：3
- 2007年
- 在单电子紧束缚无序模型基础上,建立了一维二元非对角关联无序体系电子跳跃输运交流电导模型,并推导了其交流电导公式,通过计算其交流电导率,探讨了格点能量无序度、格点原子组分、非对角关联及温度、外场对体系交流跳跃电导的影响.计算结果表明,一维二元非对角关联无序体系的交流电导率随格点能量无序度的增大而减小.同时,体系中两种原子的组分的变化实际代表着体系成分无序程度的变化,因而对其交流电导率的影响很大,表现为随A类原子含量p的增加而先减小后增大.当引入非对角关联时,体系出现退局域化现象,电子波函数由局域态向扩展态发展,从而使体系的交流电导率大于Anderson模型情况下体系的电导率.此外,温度对一维二元非对角关联无序体系的电子输运的影响表现为体系的交流电导率随温度的升高而减小,而外加交变电场对体系交流电导率的影响表现为随外场频率的升高而增大很快.
- 马松山徐慧李燕峰张鹏华
- 非对角无序和维数效应对低维无序系统电子结构的影响被引量：7
- 2005年
- 运用负本征值理论 ,探讨了非对角无序、维数效应对低维无序系统电子结构的影响 ,研究表明 ,非对角无序和维数效应对低维无序系统电子结构的影响很大 .非对角无序主要体现出系统的结构变化和粒子边界效应 ;从一维单链、准一维双链到准一维三链无序系统 ,电子局域化程度加大 ,电子能带结构更复杂 ,体现出显著的维数效应 .
- 宋招权徐慧李燕峰刘小良
- 关键词：电子结构
- 一维纳米材料中电子局域态分布被引量：1
- 2004年
- 从一维纳米随机链模型出发,在考虑近邻、次近邻相互作用的情况下,运用多对角全随机厄米矩阵求解方法计算了一维纳米材料的电子局域态中心位置。针对晶界无序度和晶粒大小,讨论了材料中的电子局域态分布。研究结果表明:局域态中心位置随能量的改变而改变,并且在不同的能量范围内局域态分布不同,在某些能量范围内,能量变化很小而局域位置变化很大,电子跳跃很容易发生,而在另一些能量范围内,能量变化很大但局域位置变化很小,电子跳跃难以发生,因而直接影响材料的导电、导热等性能;晶界无序度和晶粒大小对局域态分布影响很大,当晶界无序度变小时,体系趋向有序,局域态位置随能量的变化呈一定程度的周期性;而当晶粒粒径变小时,晶界的作用增强,无序作用也相应增强,局域态增多,分布密度增大。
- 徐慧马松山
- 关键词：纳米材料
- a-C∶F∶H薄膜的化学键结构被引量：1
- 2005年
- 使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了a-C∶F∶H薄膜样品。采用拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了测试和分析。研究发现:该膜呈空间网状结构,膜内碳与氟、氢的结合主要以sp3形式存在,而sp2形式的含量相对较少;在薄膜内主要含有C—Fx(x=1,2,3)、C—C、C—H2、C—H3等以及不饱和C C化学键;同时,薄膜中C—C—F键的含量比C—C—F2键的含量要高。在不同功率下沉积的薄膜,其化学键结构明显不同。
- 肖剑荣徐慧李幼真刘雄飞马松山简献忠
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积低介电常数化学键
- 一维无序二元固体中电子局域性质的研究被引量：10
- 2006年
- 从单电子紧束缚模型的哈密顿量出发,格点能量随机取εA和εB,只计及格点之间的近程跳跃积分,建立了一维无序二元固体模型.利用负本征值理论及无限阶微扰理论,对系统电子的本征值和本征态进行了数值计算.结果表明与一定能量本征值对应的电子波函数只分布在系统的一定范围内,显示了其局域性.借助传输矩阵方法,计算出电子的局域长度,讨论了局域长度随本征能量和无序度的变化关系,并研究了计入不同范围跳跃积分下,局域长度的变化特征.
- 刘小良徐慧马松山宋招权
- 关键词：电子态局域长度
- DNA内电子传递特性的研究进展被引量：4
- 2006年
- 评述了近年来对DNA的电子传递特性的研究进展,并介绍了关于DNA电子传递机制及理论的研究结果。同时,结合从无序体系的角度研究DNA内电子传递特性的工作,对围绕DNA内电子传递问题的争论要点以及尚存在的问题进行了探讨。
- 欧阳芳平徐慧郭爱敏马松山李燕峰
- 关键词：DNA电子传递分子导线
- 无序材料直流电导中的无序作用机理
- 2006年
- 在单电子紧束缚无序模型基础上,建立一维无序材料电子跳跃输运直流电导率计算模型,并推导其直流电导率计算公式;通过计算材料的直流电导率,分析不同无序形式下无序度对材料直流电导率的影响,探讨无序在材料电子输运中的本质作用。计算结果表明,在对角无序情况下,无序材料的直流电导率随着无序度的增加而减小;当无序度较小时,电导率随材料无序度的变化有振荡行为;非对角无序材料的电导率小于对角无序材料的电导率,同时,在无序度较小的区域,材料的电导率呈现先增大后减小的特性;完全无序材料的电导率大于非对角无序材料的电导率而小于对角无序材料的电导率,且在完全无序情况下材料的电导率随无序度的变化关系与非对角无序情况下电导率随无序度的变化关系很相似;在无序度较大时,无论是对角无序、非对角无序还是完全无序情况下,无序度对电导率的影响均不明显。
- 马松山徐慧刘小良肖剑荣
- 中性粒子在Ioffe阱中的经典运动被引量：2
- 2004年
- Ioffe阱因能对中性粒子实现稳定囚禁而成为一种倍受关注的磁阱。若只讨论阱中的近原点区域时,阱中的磁场可以呈现出一种简明的形式。磁矩μ反平行于磁场的中性粒子在阱中与磁场发生相互作用,借助相互作用势,可以获得粒子在阱中的经典运动方程。本文着重探究这种方程的近似求解方法。在一定的条件下,我们可以采用逐次近似的方法,使方程演化为我们熟悉的马丢方程的形式。若阱的参数设置使得马丢方程中λ>>q>0成立时,我们可以利用传统的WKBJ方法近似求解马丢方程。作为一种新的尝试,本文还采用傅立叶级数展开的办法来对马丢方程进行求解,从而得到中性粒子在阱中的经典运动规律。
- 刘小良徐慧曾高坚
- 关键词：马丢方程
- 关联无序材料中电子态的研究方法被引量：4
- 2005年
- 按照一般的无序理论,在非关联一维无序材料中不存在扩展态,在绝对零度下,电子的波函数是局域的,系统表现为绝缘体。在关联无序系统中,格点能量之间的长程关联,即对角关联,能导致扩展的波函数并由此导致系统的导电性。当关联强度于某一阈值,可以发现在热力学极限之下有存在于较宽能带范围内的扩展态,此阈值即为体系的金属-绝缘体转变临界点。考虑格点之间的长程相互作用势,即非对角关联时,在一维系统中通过使用传输矩阵方法,可以获得电子态的一些本质效应,长程跳跃可以改变系统的有效维度并能导出一维体系中存在有依赖于关联强度的金属-绝缘体转变。
- 刘小良徐慧马松山肖剑荣
- 关键词：电子态非关联一维系统
- 准二维无序系统的电子结构被引量：8
- 2006年
- 对形如Nt×Nl型准二维无序系统,只考虑格点之间的最近邻跳跃积分,采用特殊的格点编号方案,在单电子近似下,系统的哈密顿量可表示为简明对称矩阵,借助豪斯荷尔德变换将其约化为对称三对角矩阵,再利用负本征值理论及传输矩阵等方法,对系统态密度、局域长度及电导等电子结构特性进行数值计算.重点研究了准一维四平行链和五平行链无序系统,将结果与一维单链、准一维双链及三链系统进行对比,发现随维度的增加,系统的能带有所展宽,能态密度分布发生很大的变化,其峰值数量呈偶数规律增加.并且在能带中心处存在有局域长度大于系统大小的扩展态,处于这些态下的系统具有较大电导.从单链到多链,相当于扩大了系统的关联范围,使系统出现了类似非对角长程关联的行为.
- 刘小良徐慧马松山宋招权邓超生
- 关键词：态密度局域长度电导
