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国家高技术研究发展计划(2002AA431200)

作品数:2 被引量:15H指数:1
相关作者:霍明学刘晓为王东红张颖陈伟平更多>>
相关机构:哈尔滨工业大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅薄膜
  • 1篇压力传感器
  • 1篇自检测
  • 1篇力传感器
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇感器
  • 1篇变式
  • 1篇传感
  • 1篇传感器

机构

  • 2篇哈尔滨工业大...

作者

  • 2篇刘晓为
  • 2篇霍明学
  • 1篇陈伟平
  • 1篇尹亮
  • 1篇王喜莲
  • 1篇汤小川
  • 1篇张颖
  • 1篇王东红

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2004
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
相变式自检测压力传感器
2006年
提出一种新型压力传感器自检测方法———相变热驱动法.在压力传感器的密封腔中填充相变物质,利用相变物质气化后所产生的巨大压力实现自检测功能.通过控制压力腔中相变物质的填充量与加热电阻的加热功率,可以实现不同量程压力传感器的自检测.基于相变热驱动法研制了一种单晶硅大量程自检测压力传感器,传感器为硅-玻璃-硅三层结构,通过静电键合与热键合技术制备.测试结果显示,自检测电压输出为满量程输出的6·8%,综合精度高于2·1‰.
霍明学汤小川尹亮刘晓为王喜莲
关键词:自检测压力传感器
多晶硅薄膜压阻系数的理论研究被引量:15
2004年
利用应力退耦模型 ,分别对多晶硅薄膜晶粒中性区和晶界势垒区的压阻系数进行了理论分析 ,并推导出多晶硅压阻系数的表达式 .实验结果表明 ,利用文中推导出的理论公式所获得的计算值与实验测量结果基本符合 ,所给出的有关多晶硅压阻系数的理论结果可以作为多晶硅特性分析的理论依据 .
刘晓为霍明学陈伟平王东红张颖
关键词:多晶硅
共1页<1>
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