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国家自然科学基金(60876041)

作品数:3 被引量:2H指数:1
相关作者:桑立雯张国义秦志新沈波李广如更多>>
相关机构:北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇电镜
  • 1篇电离
  • 1篇雪崩
  • 1篇英文
  • 1篇射电
  • 1篇探测器
  • 1篇透射电镜
  • 1篇碰撞电离
  • 1篇紫外探测
  • 1篇紫外探测器
  • 1篇位错
  • 1篇位错密度
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇化合物半导体
  • 1篇激活能
  • 1篇半导体
  • 1篇STRUCT...

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇秦志新
  • 3篇桑立雯
  • 2篇沈波
  • 2篇张国义
  • 1篇张延召
  • 1篇杨子文
  • 1篇许正昱
  • 1篇李广如
  • 1篇于涛

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇Chines...

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2008
3 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Structural characterization of V/Al/V/Au Ohmic contacts to n-type Al_(0.4)Ga_(0.6)N
2011年
This paper investigates the temperature dependence of the specific resistance in annealed V/Al/V/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) contacts on n-A10.4Ga0.6N. Contacts annealed at 700 ℃ and higher temperatures show Ohmic behaviour. Annealing at 800 ℃ produces the lowest contact resistance. Samples annealed at 800 ℃have been analysed by using cross-sectional transmission electron microscopy and an energy dispersive x-ray spectrum. Limited reaction depths are observed between V-based contacts and n-AlGaN. The VN grains are found to form in the contact layer of the annealed samples, which can be considered as the key to the successful formation of Ohmic contact. The contact layer adjacent to AlGaN material consists of V Al-Au-N, AlN and AlAu alloys.
李涛秦志新许正昱沈波张国义
关键词:VANADIUM
GaN基p-i-n型雪崩探测器的制备与表征(英文)被引量:2
2011年
制备和表征了p-i-n型的GaN基雪崩探测器。器件在-5 V下的暗电流约为0.05 nA,-20 V下的暗电流小于0.5 nA。响应增益-偏压曲线显示,可重复的雪崩增益起始于80 V附近,在85 V左右增益达到最大为120,表明所制备的器件具有较好的质量。C-V测量用来确定载流子的分布和耗尽信息,结果显示,p型层在15 V左右达到耗尽,对应的空穴载流子浓度在1.9×1017 cm-1左右,相对低的载流子浓度降低了电场限制,使探测器的工作电压相对偏高。在不同偏压下测量的光谱响应曲线显示出明显的Franz-Keldysh效应。
李广如秦志新桑立雯沈波张国义
关键词:紫外探测器雪崩碰撞电离
In气氛下晶体生长对Mg掺杂p-AlxGa1-xN激活能的影响
2010年
Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1100℃下生长AlxGa1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-AlxGa1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-AlxGa1-xN层后,LED器件性能明显提高。
张延召秦志新桑立雯许正昱于涛杨子文沈波张国义赵岚张向锋成彩晶孙维国
关键词:激活能
脉冲缓冲层对AlN外延层位错密度的影响
在蓝宝石衬底上采用交替通Al源和NH_3的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存...
桑立雯秦志新方浩代涛杨志坚沈波张国义张小平俞大鹏
关键词:化合物半导体位错透射电镜氮化铝
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共1页<1>
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