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四川省教育厅资助科研项目(11ZD15)

作品数:2 被引量:3H指数:1
相关作者:何茗李俊杰更多>>
相关机构:成都工业学院电子科技大学成都电子机械高等专科学校更多>>
发文基金:四川省教育厅资助科研项目中国博士后科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇电性能
  • 2篇陶瓷
  • 2篇微波介电
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 1篇微波介电性能
  • 1篇微波介质
  • 1篇微波介质陶瓷
  • 1篇介质陶瓷
  • 1篇掺杂
  • 1篇H
  • 1篇BA

机构

  • 1篇成都电子机械...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇成都工业学院

作者

  • 2篇何茗
  • 1篇李俊杰

传媒

  • 2篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
H_3BO_3掺杂的Ba_5Nb_4O_(15)陶瓷的烧结及介电性能被引量:2
2013年
采用传统的固相烧结工艺制备了H3BO3掺杂的Ba5Nb4O15陶瓷。研究了H3BO3掺杂量对Ba5Nb4O15陶瓷的相成分、微观结构、烧结以及微波介电性能的影响。结果表明:H3BO3掺杂的Ba5Nb4O15陶瓷中,除主晶相Ba5Nb4O15相外,还生成了BaNb2O6和BaB2O4相;H3BO3能够将Ba5Nb4O15陶瓷的烧结温度降低500℃左右,同时没有显著损害该陶瓷的微波介电性能;当H3BO3掺杂量为质量分数1%时,900℃烧结的Ba5Nb4O15陶瓷具有良好的微波介电性能:εr=38.8,Q×f=48 446 GHz,τf=37.0×10–6/℃。
何茗
关键词:微波介电性能陶瓷掺杂
CuO掺杂对BaZn_2Ti_4O_(11)陶瓷微波介电性能的影响被引量:1
2012年
采用固相反应法制备了CuO掺杂的BaZn2Ti4O11陶瓷,研究了所制陶瓷的物相、微观结构和微波介电性能。结果表明,CuO既可以在晶界处形成低共熔体,导致液相烧结,降低烧结温度40℃,又可使部分Cu2+进入晶格取代了部分Zn2+,增加Q.f值。掺杂质量分数0.5%的CuO在1 160℃烧结2 h所制得BaZn2Ti4O11陶瓷的微波介电性能较佳:相对介电常数εr=29.4,Q.f=50 500 GHz,频率温度系数τf=–35.6×10–6/℃。
李俊杰何茗
关键词:微波介质陶瓷介电性能
共1页<1>
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