国家高技术研究发展计划(2009AA03Z417)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- 基于双吸收结构的谐振腔增强型光探测器
- 为了实现对传统谐振腔增强型（RCE）光探测器的优化,本文提出了一种具有双吸收结构的RCE光探测器,并从理论上分析了该光探测器的量子效率和高速响应特性,进而将其与传统的RCE光探测器进行了比较。结果表明,双吸收结构RCE光...
- 王伟黄永清段晓峰蔡世伟郭经纬黄辉任晓敏
- 关键词：光电子学量子效率
- 文献传递
- InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究被引量：2
- 2011年
- 利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有InxGa1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/InxGa1-xAs/GaAs三段式纳米线异质结构在轴向上串接生长而形成双异质结构.通过插入三元化合物InxGa1-xAs渐变缓冲段可以有效的克服界面能差异和晶格失配带来的负面影响,提高纳米线的晶体质量和生长可控性.
- 叶显黄辉任晓敏郭经纬黄永清王琦张霞
- 关键词：INXGA1-XAS
- 新型双吸收层谐振腔增强型光电探测器量子效率的传输矩阵法分析
- 随着光纤通信技术的发展,高量子效率、高速响应光电探测器在长距离高速光纤通信系统中的作用尤显突出。本文利用传输矩阵法对新型双吸收层光电探测器（RCE-PINIP）的量子效率进行了理论计算,然后用Mathcad软件对其进行了...
- 谢三先黄永清刘庆段小峰王伟黄辉任晓敏
- 关键词：量子效率
- 文献传递
- 基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术被引量：1
- 2010年
- 提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱结构转移到了GaAs基底上。X射线衍射及荧光谱显示,键合后的多量子阱晶体质量未变。二次离子质谱(SIMS)和Raman光谱图显示,GaAs/InP键合晶片的中间层厚度约为17 nm,界面处B元素有较高的浓度,键合晶片的中间层很薄,因此可以得到较好的电学、光学特性。
- 宋海兰黄辉王文娟黄永清任晓敏
- 关键词：低温键合GAAS/INP
- InP/Si低温晶片键合机理的研究
- 将硼化物溶液用于InP/Si晶片键合的表面处理工艺,实现了两种材料之间简单、无毒性的低温（280℃）晶片键合。基于这种低温键合技术,从物理化学、热力学等理论出发,结合高分辨率透射电镜（HRTEM）、拉曼光谱（Raman）...
- 钟树泉任晓敏黄辉黄永清王琦张霞
- 关键词：集成光学晶片键合
- 文献传递
- 闪锌矿B_xAl_(1-x)As合金的LP-MOCVD生长研究
- 2010年
- 利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长工艺,采用三乙基硼(TEB)源,在GaAs(001)衬底上生长了B并入比为0.4%～4.4%的一系列BxAl1-xAs合金。实验结果表明,BxAl1-xAs的最优生长温度为580℃;当生长温度为550℃和610℃时,BxAl1-xAs中B并入比都会下降,550℃时B并入比下降更为显著。在580℃最优生长温度下,B并入比随着TEB摩尔流量增加而提高,且B并入比从临界值2.1%增加至最大值4.4%时,DCXRDω-2θ扫描BxAl1-xAs衍射峰的半高宽值从51.8 arcsec升高到204.7 arcsec,原子力显微镜(AFM)测试表面粗糙度从2.469 nm增大到29.086 nm,说明B并入比超过临界值后BxAl1-xAs晶体质量已经逐渐严重恶化。
- 李佳健王琦张霞杨跃任晓敏黄永清
- 温度对基于金辅助金属氧化物化学气相沉积生长的GaAs纳米线影响
- 近年来,由于纳米线所具有的新颖的物理特性,使其在电子学和光学等领域有着广阔的应用前景,引起了广泛关注。利用金辅助的金属氧化物化学气相沉积法在气-液-固生长机制下GaAs（111）B衬底上生长了GaAs纳米线。研究了三个生...
- 郭经纬黄辉叶显任晓敏蔡世伟王伟王琦黄永清张霞
- 关键词：纳米线砷化镓
- 文献传递
