国家高技术研究发展计划(2001AA325070)
- 作品数：7 被引量：106H指数：5
- 相关作者：李永祥杨群保殷庆瑞曾江涛易志国更多>>
- 相关机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学化学工程更多>>
- 无铅压电陶瓷的晶格缺陷对压电性能影响研究被引量：2
- 2005年
- 无铅压电陶瓷中,绝大部分是以三价铋取代二价铅的含铋无铅压电陶瓷.含铋压电陶瓷与有铅压电陶瓷相比,在烧结时出现的液相温度比含铅陶瓷低,陶瓷烧结温度也比含铅压电陶瓷低;铋容易挥发,陶瓷晶粒中易出现氧空位;三价铋的极化率虽然与二价铅的相当,但其结构对称性下降,晶体的各向异性大,90°电畴不易随电场取向,因而压电性能不如含铅陶瓷相变.作者主要是对含铋无铅压电陶瓷中由于铋挥发引起的晶格缺陷偶极子,它们在电场作用下的取向排列对压电性能影响进行了研究.
- 李国荣赵苏串张丽娜王天宝丁爱丽殷庆瑞董元丰陶峰张火荣
- 关键词：钛酸铋钠钛酸铋钾无铅压电陶瓷
- 铋层状共生铁电体的研究进展被引量：2
- 2005年
- 铋层状共生铁电体是一类新的有潜在应用前景的铁电压电材料,结合近期国内外相关研究论文,归纳分析了铋层状共生铁电体的结构和电学特性,并展望了其今后的研究发展.
- 易志国李永祥杨群保王东陆毅青王英殷庆瑞
- 关键词：居里点无铅压电陶瓷
- 多层晶粒生长法制备织构化CaBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷被引量：6
- 2005年
- 采用新型的丝网印刷晶粒定向技术,以Bi2O3,CaCO3和Ti O2纳米粉体为原料,无需模板晶种直接制备出高度织构化的CaBi4Ti4O15陶瓷.系统研究了烧结温度、时间、升温速度以及原料粉体颗粒度对晶粒定向的影响,在1000～1180℃范围内烧结4h后获得高达94.1%的晶粒取向度.利用XRD和SEM等手段探讨了丝网印刷工艺的晶粒定向生长机理,认为丝网印刷可获得极薄的颗粒层,层间存在间隙,各层内的颗粒由于在平行界面方向生长不受限制,使其该界面方向的晶粒尺寸大于其它方向,从而最终得到晶粒高度定向的陶瓷.
- 李永祥杨群保曾江涛易志国
- 铋层状结构压电材料的掺杂改性研究被引量：16
- 2005年
- 作者以CaBi4Ti4O15为研究对象,通过对A位选择Nd3+部分替代Bi3+或者Ca2+,以及用V5+和W6+取代部分B位的Ti4+的掺杂改性,研究了不同掺杂元素及掺杂位置对材料结构和性能的影响.结果表明,A位和B位均能通过提高剩余极化和降低矫顽场,来改善陶瓷的压电性能;A位比B位有更高的掺杂固溶量,可获得更好的铁电和压电性能,剩余极化2Pr高达20.4μC/cm,压电常数d33高达20pC/N.
- 李永祥杨群保曾江涛易志国
- 关键词：掺杂改性压电性能
- 无铅压电陶瓷研究的新进展被引量：53
- 2004年
- 综述了近年来国内外无铅压电陶瓷材料方面的研究进展。主要介绍了钛酸钡基、铌酸盐系、含铋层状结构以及含铋钙钛矿型无铅压电陶瓷体系中所开展的研究工作。同时对近年来无铅压电陶瓷在粉体制备以及晶粒定向新工艺方面的进展也进行了简要的评述。
- 杨群保荆学珍李永祥王东王天宝
- 关键词：无机非金属材料无铅陶瓷压电陶瓷环境友好
- 压电陶瓷晶粒定向技术被引量：28
- 2004年
- 压电陶瓷晶粒定向技术是利用压电材料性能各向异性的特点,将无规则取向的陶瓷晶粒定向排列,能够在不改变材料居里点的前提下大幅度提高陶瓷的压电性能。综述了常见的几种压电陶瓷晶粒定向技术,包括热处理技术、模板晶粒生长技术、多层晶粒生长技术和定向凝固法等,以及这些方法在压电陶瓷中的应用,分析和比较了这些方法各自的特点。讨论了晶粒定向对压电陶瓷结构和性能的影响。
- 曾江涛李永祥杨群保殷庆瑞
- 关键词：电子技术压电陶瓷无铅化
- 晶化时间对水热法制备钛酸铋纳米粉体的研究被引量：8
- 2004年
- 采用分析纯Bi(NO3)3·5H2O和TiCl4为原料,以NaOH为矿化剂,在反应温度为230℃的水热条件下,研究了晶化时间对Bi4Ti3O12物相结晶性能的影响。XRD表明在晶化时间不少于240min的条件下,才能合成纯的Bi4Ti3O12单一物相,并随着晶化时间的延长,Bi4Ti3O12的晶粒有所长大。通过红外光谱、比表面积和TEM等性能表征,探讨了钛酸铋的水热合成机理,用原位生成机理和溶解 再结晶机理解释了钛酸铋的水热生长过程。
- 杨群保李永祥殷庆瑞王佩玲程一兵
- 关键词：水热合成BI4TI3O12晶化时间纳米粉体
