国防基础科研计划(51327020202)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- 钒受主能级在n型4H-SiC中的深能级瞬态傅里叶谱和光致发光(英文)
- 2008年
- 借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和1.02eV处,其电子俘获截面分别为7.0×10-16和6.0×10-16cm2.对钒离子注入4 H-SiC样品进行低温光致发光测量,同样发现两个电子陷阱,分别位于导带下0.80和1.16eV处。结果表明,在n型4 H-SiC掺入杂质钒可以同时形成两个深的钒受主能级,分别位于导带下0.8±0.01和1.1±0.08eV处.
- 王超张义门张玉明王悦湖徐大庆
- 关键词：4H-SIC
- 高能量钒注入n型4H-SiC的欧姆接触形成(英文)
- 2007年
- 借助二次离子质谱法分析了注入的钒离子在碳化硅中的分布.即使经过1650℃的高温退火,钒在碳化硅中的再扩散也不显著.退火并没有导致明显的钒向碳化硅表面扩散形成堆积的现象,由于缺少钒的补偿作用,表面薄层的自由载流子浓度保持不变.采用线性传输线模型测量了钒注入n型4H-SiC上的Ni基接触电阻,在1050℃下,在氮、氢混合气体中退火10min,形成的最低比接触电阻为4.4×10-3Ω.cm2.金属化退火后的XRD分析结果表明,镍、碳化硅界面处形成了Ni2Si和石墨相.观测到的石墨相是由于退火导致C原子外扩散并堆积形成,同时在碳化硅表面形成C空位.C空位可以提高有效载流子浓度,降低势垒高度并减小耗尽层宽度,对最终形成欧姆接触起到了关键作用.
- 王超张义门张玉明郭辉徐大庆王悦湖
- 关键词：欧姆接触
- 钒注入4H-SiC半绝缘特性的研究被引量：3
- 2006年
- 研究了2100keV高能量钒注入4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性，注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行模拟．采用一种台面结构进行I-V测试，发现钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型有很大关系．常温下，钒注入p型和n型4H-SiC的电阻率分别为1．6×10^10和7．6×10^6Ω·cm．测量了不同退火温度下的电阻率，发现高温退火有利于钒的替位激活和提高电阻率，由于钒扩散的影响1700℃退火使得电阻率略有下降．测量了n型SiC钒注入层在20～140℃时的电阻率，计算出钒受主能级在4H-SiC中的激活能为0．78eV．
- 王超张玉明张义门
- 关键词：碳化硅半绝缘退火激活能
