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国家重点基础研究发展计划(2006CB0L1000)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：施毅濮林陈裕斌郑有炓闾锦更多>>
相关机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇电容-电压特...
  • 1篇电压特性
  • 1篇锗硅
  • 1篇自组织生长

机构

  • 1篇南京大学

作者

  • 1篇左正
  • 1篇闾锦
  • 1篇郑有炓
  • 1篇陈裕斌
  • 1篇濮林
  • 1篇施毅

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2008
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排序方式：
基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性
2008年
利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.
闾锦陈裕斌左正施毅濮林郑有炓
关键词：电容-电压特性自组织生长
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