国家重点基础研究发展计划(2009CB724201)
- 作品数：4 被引量：17H指数：3
- 相关作者：雒建斌刘宇宏郭丹董莹戴媛静更多>>
- 相关机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金创新研究群体科学基金更多>>
- 相关领域：机械工程电子电信更多>>
- 纳米制造科学与技术中的基础问题研究进展被引量：8
- 2013年
- 纳米制造是支撑纳米技术、信息技术和生物技术走向应用的基础,是制造业发展的方向。而纳米制造科学与技术中的基础问题,则是研究纳米制造的根本。本文在概述了纳米制造的基本概念之后,详细介绍了国内外纳米制造科学与技术中基础问题的研究进展,并在最后对于纳米制造科学与技术的未来研究进行了展望。
- 刘宇宏雒建斌
- 氧化硅团簇切削单晶硅粗糙峰的分子动力学模拟研究
- 2012年
- 应用分子动力学模拟方法研究了氧化硅团簇在不同的切削深度下切削单晶硅粗糙峰的过程,考察了切削过程中粗糙峰和氧化硅团簇形态变化、团簇的受力状况、粗糙峰原子配位数和温度分布等.模拟结果表明:切削深度小于0.5 nm时,被去除的材料以原子或者原子簇形式存在,并黏附在颗粒表面被带走;当切削深度增大至1 nm,材料的去除率增大,并形成大的切屑.在切削过程中,由于压力和温度的升高,粗糙峰切削区域的单晶硅转变为类似Si-Ⅱ相和Bct5-Si相的过渡结构,在切削过程后的卸载阶段,过渡结构由于压力和温度的下降转变为非晶态结构.
- 司丽娜郭丹雒建斌
- 关键词：单晶硅分子动力学模拟超精密加工
- Effect of polyalkylene glycols（PAGs） on the copper chemical mechanical polishing（CMP）
- ＜正＞Introduction Chemical mechanical polishing（CMP） was invented in the early 1980s at IBM and has become a sta...
- Dai Y J
- 文献传递
- 铜抛光液中缓蚀剂5-氨基四唑(ATA)的作用机制研究被引量：5
- 2012年
- 采用静态腐蚀实验、接触角测试、XPS等手段,比较在不同pH值下抛光液中缓蚀剂(5-氨基四唑(ATA),苯并三唑(BTA))对铜表面化学机械抛光(CMP)的影响,并探讨ATA在铜表面的作用机制。结果表明,BTA和ATA是优良的铜缓蚀剂,当pH值为3～10时,两者可在铜表面成膜,保护铜表面不受腐蚀,从而降低铜片的静态腐蚀速率和去除率,其中当pH=4时,2种缓蚀剂表现出最佳的缓蚀性能。当pH值为3～5时,ATA的缓蚀性能优于BTA。ATA通过四唑环上的N原子和氨基上的N原子吸附在铜表面,形成保护膜,从而抑制了H2O2对铜表面的腐蚀,改善了表面质量,是一种优良的适用于酸性铜抛光液的缓蚀剂。
- 刘宇宏董莹戴媛静雒建斌
- 关键词：缓蚀剂化学机械抛光
- 基于原子力显微镜的纳米抛光颗粒的摩擦力测量方法被引量：4
- 2012年
- 基于原子力显微镜接触模式,使用侧向力扫描测量单个纳米颗粒与基底表面的摩擦力,从而为颗粒从基底表面去除提供最为直接的测试方法。对硅片表面进行羟基化增强其亲水性,将聚苯乙烯纳米颗粒单层均匀地分散到硅片上。使用横向力模式和NanoMan两种方法侧向推动纳米颗粒,测得单个颗粒与硅片表面之间的最大静摩擦力分别为(1.57±0.09)μN和(1.51±0.13)μN,试验结果基本一致,表明这两种测量方法可靠有效。此外,NanoMan可控制针尖推动单个颗粒在基底表面做滑移运动,表明颗粒-基底的滑动摩擦力与针尖施加载荷和扫描速度密切相关。
- 李静楠郭丹王元元
- 关键词：原子力显微镜摩擦力
