国家自然科学基金(10354001)
- 作品数：11 被引量：12H指数：3
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- AgBrI微晶上硫增感中心Ag_2S分子团簇的陷阱效应分析被引量：1
- 2004年
- 利用微波吸收相敏技术检测了硫增感条件下的卤化银光电子衰减行为,获得了硫增感乳剂的自由光电子和浅俘获光电子的时间分辨谱信号.分析了AgBrI T颗粒乳剂硫增感产物的陷阱效应与增感时间和增感温度的关系.确定了硫增感产物的陷阱效应随增感时间和增感温度的变化趋势,其变化顺序依次是空穴陷阱、浅电子陷阱和深电子陷阱.
- 杨少鹏傅广生李晓苇田晓东
- 关键词：硫增感卤化银浅电子陷阱微晶分子团簇AG2S
- 掺杂AgCl中光电子衰减特性研究
- 2009年
- 利用微波吸收介电谱检测技术,检测均匀掺杂[Fe(CN)6]4-盐的立方体AgCl微晶首次曝光后的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。实验发现,随着掺杂浓度的增加,样品中自由光电子衰减时间逐渐从未掺杂时的116ns延长至1133ns。分析光电子衰减曲线还同时得到,随着掺杂浓度的增加,光电子的前期较慢衰减过程逐渐变快,后期较快衰减过程逐渐变慢,总体上衰减时间逐渐增加,且掺杂浓度变化对后期衰减影响较大。研究表明掺杂使得晶体中引入了能总体上延缓光电子衰减的浅电子陷阱,并且随掺杂浓度的增加,浅电子陷阱特征更加明显。
- 代秀红张荣香李晓苇董国义杨少鹏韩理
- 关键词：浅电子陷阱
- 掺有浅电子陷阱的AgCl微晶的光电子衰减谱的时间分辨特性被引量：1
- 2005年
- 利用微波吸收技术研究了K4Ru(CN)6浅电子陷阱掺杂剂对立方体AgCl微晶光生电子时间分辨特性的影响。结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的光生电子时间分辨特性都有影响。掺杂量为245×10-5mol·(molAg)-1,掺杂位置75%Ag时自由电子的衰减最慢,寿命最长。
- 杨少鹏傅广生董国义代秀红韩理
- 关键词：自由电子微波吸收立方体CN
- 掺杂Ir盐的立方体AgCl微晶中光电子的衰减特性
- 2005年
- 电子陷阱掺杂剂通过改变卤化银微晶的内部结构来影响光电子寿命和填隙银离子行为,从而能有效地改善卤化银感光性能。本文主要介绍采用微波吸收介电谱检测技术,检测在立方体AgCl微晶中30%Ag位置处掺杂(NH4)4IrCl6的光电子衰减时间分辨特性,结果表明:[IrCl6]4 原子团引入的掺杂中心起较深电子陷阱的作用。通过对室温条件下光电子衰减随掺杂浓度变化关系的分析得出:掺杂(NH4)4IrCl6浓度越小,光电子衰减时间越长,对潜影形成所起的作用越大,掺杂效果越好。
- 李晓苇田晓东代秀红董国义傅广生
- 关键词：卤化银掺杂电子陷阱
- ZnO:Zn荧光材料的光电子时间分辨谱和荧光光谱被引量：1
- 2005年
- 采用微波吸收法,测量了ZnO及ZnO:Zn荧光粉末材料受到超短激光脉冲激发后其导带电子的衰减过程,并测量了室温下荧光材料的吸收光谱和发射光谱。发现ZnO材料的光电子寿命为64 ns,而ZnO:Zn荧光材料的的光电子寿命为401 ns。分析认为ZnO:Zn寿命的延长是由于材料中缺陷结构的增加导致电子在导带上的弛豫时间变长。
- 董国义窦军红葛世艳林琳郑一博韦志仁
- 关键词：微波吸收光电子
- 不同类型掺杂剂对AgCl微晶中光电子衰减特性影响
- 2013年
- 电子陷阱掺杂可明显改善晶体材料中光电子衰减特性,最终改善其物理性能。利用微波吸收介电谱检测技术,对30%Ag位置处掺杂不同浓度K4[Ru(CN)6]和(NH4)2IrCl6的立方体AgCl微晶中自由和浅束缚光电子衰减时间(FDT,SDT)分辨谱进行了检测。结果表明,对于掺杂K4[Ru(CN)6]的样品,随掺杂浓度增加,FDT逐渐从157ns延长至520ns;且不同浓度掺杂时的FDT均大于未掺杂时的FDT(150ns)。而对于掺杂(NH4)2IrCl6的情况,随掺杂浓度增加,FDT逐渐从126ns减小至45ns;且不同浓度掺杂时的FDT均小于未掺杂时的FDT(150ns)。分析得知,K4[Ru(CN)6]掺杂在AgCl中引入了能暂时俘获光电子的浅电子陷阱(SETs);而(NH4)2IrCl6掺杂在AgCl中引入了能长时间俘获光电子的深电子陷阱(DETs)。同时对光电子衰减动力学过程分析得知,陷阱的类型对光电子衰减寿命分区影响不同,SETs的引入使光电子衰减寿命曲线明显呈现两个指数衰减区,而DETs的引入使光电子衰减寿命曲线只呈现一个指数衰减区。
- 代秀红董国义李晓苇杨少鹏韩理傅广生
- 关键词：掺杂电子陷阱
- 掺杂的AgCl微晶在化学增感条件下的光电子衰减特性被引量：4
- 2006年
- 利用微波吸收介电谱技术研究了KaFe（CN）6浅电子陷阱掺杂剂和S＋Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响。结果表明，掺杂浓度为10^-8～10^-7mol·mol^-1 Ag时，在增感之前，掺杂位置越接近表面时，光电子衰减过程会变慢，即衰减时间增加；S＋Au增感后的掺杂乳剂中光电子衰减变快，说明了增感中心起深电子陷阱作用，当掺杂位置接近表面90％Ag时，光电子衰减时间突然减小，说明表面掺杂中心和增感中心可能发生了某些反应。
- 李晓苇江晓利孟涛代秀红赵晓辉董国义韩理
- 关键词：氯化银浅电子陷阱掺杂
- 脉冲激光作用下碘掺杂的AgBr-T颗粒中光电子衰减特性被引量：3
- 2004年
- 利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,在短脉冲激光作用下,测量了在不同碘化物掺杂方式和掺杂量下的AgBrT颗粒中自由光电子和浅束缚光电子随时间的衰减曲线,根据测得的衰减曲线得到了不同条件下的自由光电子寿命(FLT)、自由光电子衰减时间(FDT)及浅束缚光电子衰减时间(SDT)值,通过比较这些值分析了碘化物在AgBrT颗粒中的作用和碘化物对AgBrT颗粒的感光性能的影响。详细分析了碘含量小于、大于以及等于3%的吸收信号和色散信号曲线,讨论了曲线上各个区的影响因素。
- 杨少鹏傅广生刘荣鹃代秀红李晓苇
- 关键词：光电子学短脉冲激光微波吸收电子陷阱
- 浅电子陷阱掺杂AgCl微晶的光作用特性研究被引量：3
- 2007年
- 利用微波吸收介电谱检测技术,同步检测均匀掺杂K4Fe(CN)6盐的立方体AgCl微晶在室温条件下的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。对比未掺杂样品发现,掺杂引入的浅电子陷阱使样品中的自由光电子衰减时间延长了338ns,衰减过程中出现一个明显的一级指数快衰减区;较高浓度掺杂情况下,测量了光作用产物对光电子衰减的影响,分析表明,光作用产物是具有深电子陷阱作用的银簇。光作用产物的出现,使得晶体中发生了浅电子陷阱到深电子陷阱效应的转变,可见掺杂使得晶体内部结构和光作用特性发生了变化。
- 代秀红李晓苇董国义张荣香张继县李红莲韩理傅广生
- 关键词：掺杂浅电子陷阱
- 常压化学气相输运法合成Zn_(1-x)Co_xO晶体被引量：1
- 2007年
- 本文采用高温化学气相输运法,温度970℃,在蓝宝石和石英基片上制备Zn1-xCoxO晶体。电子扫描显微镜(SEM)观察发现,蓝宝石晶片上的晶体形貌较S iO2晶片上的规整,晶体呈现六棱柱或六棱锥体,一般显露柱面m{101-0}、正锥面p{101-1}、负极面c{0001-}和正极面c{0001},晶体表面光滑。在石英基片上得到的Zn1-xCoxO晶体生长的棱面较模糊,基片的部分晶体非定向密集生长,连续形成薄膜结构。X衍射证实晶体为ZnO纤锌矿结构。X光能谱(EDS)测量表明ZnO晶体有钴离子的存在,且浓度随原料中的Co2O3:ZnO的比值增大而增加。
- 蔡淑珍李志强徐丽云郑一博韦志仁
- 关键词：蓝宝石石英
