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反应磁控溅射制备的SiO2防护涂层抗原子氧侵蚀性能研究: 2007年; 在原子氧侵蚀地面模拟设备中对Kapton和利用反应磁控溅射制备的SiO2涂层进行了原子氧暴露实验，并采用XPS和SEM等分析手段对暴露前后试样表面的物理和化学变化进行了研究．结果表明，Kapton试样遭受了严重的侵蚀，质量损失较大；SiO2涂层质量变化很小，对基体提供了良好的保护作用．XPS分析结果表明，反应溅射的SiO2涂层是富Si的，初始暴露时由于氧化反应而质量有少许增加，随时间延长，涂层变得完全符合化学计量．SiO2涂层在原子氧暴露后涂层的太阳吸收率、辐射率和反射系数均没有发生明显的变化．SiO2涂层较脆，易产生裂纹，原子氧会通过缺陷位侵蚀下面的基体材料，严重影响飞行任务的正常进行。; 多树旺李美栓刘庭芝; 关键词：原子氧磁控溅射

反应磁控溅射制备的SiO2防护涂层抗原子氧侵蚀性能研究: 在原子氧侵蚀地面模拟设备中对 Kapton 和利用反应磁控溅射制备的 SiO涂层进行了原子氧暴露实验,并采用 XPS 和 SEM 等分析手段对暴露前后试样表面的物理和化学变化进行了研究．结果表明,Kapton 试样遭受了...; 多树旺李美栓刘庭芝; 关键词：原子氧磁控溅射; 文献传递

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江西省教育厅科技计划项目([2007]280)