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山东省博士后创新项目(200903067)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：赵圣之杨克建李桂秋李德春唐文婧更多>>
相关机构：山东大学更多>>
发文基金：中国博士后科学基金山东省博士后创新项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇形成能
  • 1篇态密度
  • 1篇吸收体
  • 1篇可饱和吸收
  • 1篇可饱和吸收体
  • 1篇饱和吸收体
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇山东大学

作者

  • 1篇唐文婧
  • 1篇李德春
  • 1篇李桂秋
  • 1篇杨克建
  • 1篇赵圣之

传媒

  • 1篇红外与激光工...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAs可饱和吸收体本征点缺陷的第一性原理计算与模拟被引量：1
2011年
GaAs可饱和吸收体中的深能级缺陷(EL2缺陷)对其被动调Q性能有着重要的影响,因此有必要对EL2缺陷的微观结构及形成机理做进一步研究。用基于密度泛函理论的平面波赝势法首先对GaAs本征点缺陷(镓空位、砷空位、镓替代砷、砷替代镓、镓间隙、砷间隙)存在时的晶格结构进行优化,得到其稳定结构;然后通过各缺陷形成能的计算可得知其在生长过程中形成的难易程度;最后从态密度的角度对各种本征点缺陷引起的缺陷能级及电子占据情况进行了分析。计算得到的本征缺陷能级有助于分析GaAs可饱和吸收体中EL2深能级缺陷的形成机理。
李德春赵圣之唐文婧李桂秋杨克建
关键词：形成能态密度
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