国家自然科学基金(51372110)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- 相关机构：聊城大学中国科学院更多>>
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- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 双层KNN基陶瓷的制备和性能研究（英文）
- 2013年
- 利用传统的固相反应法制备了单层和双层KNN基无铅压电陶瓷.用X射线衍射和扫描电子显微镜研究了样品的相结构和晶粒分布.研究结果表明,双层陶瓷的两种组元在界面处匹配完好.与单层陶瓷相比,由于双层陶瓷中两种成分高温下在界面处相互扩散和渗透,因此双层陶瓷表现出较高的致密度,较大的压电常数和剩余极化强度.该制备方法对于进一步提高KNN基陶瓷的压电性能具有重要意义.
- 李纯安峰尚凡敏徐娇慧魏燕燕
- 关键词：无铅陶瓷X射线衍射扫描电子显微镜
- SrCaBi4Ti5O(18)-BiMeO＋3(Me=Ga,Mn)高温无铅压电陶瓷的制备及性能
- 2018年
- 采用固相合成法制备了(1-x)SrCaBi_4Ti_5O_(18-x)BiMeO_3(SCBT-xBMe,Me=Ga,Mn;0≤x≤0.02)铋层状压电陶瓷,研究了BiMeO_3掺杂对SrCaBi_4Ti_5O_(18)系陶瓷微观结构及电性能的影响。结果表明BiMeO_3掺杂并未改变SCBT陶瓷的晶体结构,所有样品均为单一的铋层状结构陶瓷;适量引入BiMeO_3能促使SCBT的晶粒长大且趋于均匀,并有助于SCBT电性能的优化。当BiMeO_3掺杂量为0.005(Me=Ga)和0.02(Me=Mn)时,材料的压电常数d33分别为18pC/N和20pC/N,同时材料具有高的居里温度(Tc=550℃)和低的介电损耗(tanδ<0.15%)。此外,SCBTxBMe材料具有良好的压电稳定性,适合于制备高温高频压电器件。
- 李程胡杰文王元立李宁郝继功
- 关键词：高温压电陶瓷
- (Mo_(1/2)Sr_(1/2))^(4+)掺杂Bi_(1/2)Na_(1/2)TiO_3无铅压电陶瓷结构及其性能研究被引量：4
- 2014年
- 采用传统陶瓷制备工艺制备出了Bi1/2Na1/2Ti1-x(Mo1/2Sr1/2)xO3(简称BNT-MS-100x)系无铅压电陶瓷材料,研究了(Mo1/2Sr1/2)4+掺杂量对BNT基陶瓷材料显微结构和电学性能的影响。研究结果表明,(Mo1/2Sr1/2)4+掺杂并未影响BNT陶瓷的晶体结构,仍为纯钙钛矿型结构,而且致密性良好。随着(Mo1/2Sr1/2)4+掺杂量增加,居里温度升高,剩余极化强度先增大后减小。当x=0.004时,BNT-MS-100x陶瓷的压电系数最大,d33=104pC/N,介电损耗最小,tanδ=4.11%。
- 程仁飞徐志军初瑞清郝继功杜鹃姬万滨李国荣
- 关键词：无铅压电陶瓷钛酸铋钠
