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上海市科学技术委员会资助项目(07SA04)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:赖宗声何伟张润曦石春琦谢传文更多>>
相关机构:华东师范大学更多>>
发文基金:上海市科学技术委员会资助项目上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇射频识别
  • 2篇频率综合器
  • 2篇综合器
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇阅读器
  • 1篇噪声
  • 1篇全集成
  • 1篇相位
  • 1篇相位噪声
  • 1篇小数分频
  • 1篇接收机前端
  • 1篇分频
  • 1篇UHF_RF...
  • 1篇CMOS全集...
  • 1篇超高频
  • 1篇超高频射频识...

机构

  • 2篇华东师范大学

作者

  • 2篇赖宗声
  • 1篇陈磊
  • 1篇石春琦
  • 1篇雷奥
  • 1篇谢传文
  • 1篇张润曦
  • 1篇何伟

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇吉林大学学报...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
射频识别接收机前端低噪声CMOS全集成频率综合器关键模块设计
2009年
为满足射频识别接收机相位噪声性能要求,在分析了频率综合器整体噪声机制的基础上,将偶次谐波抑制电路应用于1.8 GHz压控振荡器设计并采用注入锁定高速与分频器结构,鉴频鉴相器PFD设计改善了相位死区,在整体上改善了频率综合器相位噪声。利用0.25μm 1P6M RFCMOS工艺,完成了频率综合器的完整版图设计。仿真结果表明:VCO调谐范围达到47.2%,电路整体相位噪声达到-128 dBc/Hz@1 MHz,完全满足应用要求。
陈磊雷奥谢传文赖宗声
关键词:射频识别频率综合器相位噪声
UHF RFID阅读器中优化小数频率综合器设计被引量:1
2010年
给出了一个采用0.18μm CMOS工艺实现,基于三阶、三比特增量-总和调制技术,用于单片超高频射频识别阅读器的小数分频频率综合器。根据所采用的直接变频收发机结构特点及EPCglobal C1G2、ETSI协议的射频部分规范,确定阅读器本地振荡源相位噪声指标要求。测试结果表明:通过配置调制器的噪声传递函数零点,可使该频率综合器200 kHz频偏处的相位噪声得到有效抑制;当从1.8 V电源电压上抽取9.6 mA电流时,距离900 MHz测试中心频率200 kHz、1 MHz频偏处的相位噪声分别为-103与-132 dBc/Hz。
张润曦何伟石春琦赖宗声
关键词:小数分频频率综合器阅读器超高频射频识别
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