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中国博士后科学基金(2012T50387)

作品数:1 被引量:0H指数:0
相关作者:李俊周帆张建华张志林蒋雪茵更多>>
相关机构:上海大学更多>>
发文基金:中国博士后科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇晶体管
  • 1篇溅射
  • 1篇反应溅射
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇SIO
  • 1篇SIOX
  • 1篇X
  • 1篇INGA

机构

  • 1篇上海大学

作者

  • 1篇蒋雪茵
  • 1篇张志林
  • 1篇张建华
  • 1篇周帆
  • 1篇李俊

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
用反应溅射法沉积SiO_x绝缘层的InGaZnO-TFT的光照稳定性(英文)
2012年
制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况。结果表明,器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大,而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略。采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷。另外,采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间。本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因。
李俊周帆张建华蒋雪茵张志林
关键词:薄膜晶体管
共1页<1>
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