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中国博士后科学基金(2012T50387)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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相关机构：上海大学更多>>
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇晶体管
  • 1篇溅射
  • 1篇反应溅射
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇SIO
  • 1篇SIOX
  • 1篇X
  • 1篇INGA

机构

  • 1篇上海大学

作者

  • 1篇蒋雪茵
  • 1篇张志林
  • 1篇张建华
  • 1篇周帆
  • 1篇李俊

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
用反应溅射法沉积SiO_x绝缘层的InGaZnO-TFT的光照稳定性(英文)
2012年
制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况。结果表明,器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大,而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略。采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷。另外,采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间。本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因。
李俊周帆张建华蒋雪茵张志林
关键词：薄膜晶体管
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