山东省自然科学基金(Y2008A37)
- 作品数：7 被引量：20H指数：3
- 相关作者：杨田林宋淑梅李延辉韩圣浩辛艳青更多>>
- 相关机构：山东大学天津大学同济大学更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：电子电信动力工程及工程热物理理学更多>>
- 快速退火对直流磁控溅射法制备的AZO薄膜性能的影响被引量：7
- 2010年
- 在室温下,采用直流磁控溅射方法制备了不同厚度的氧化锌掺铝薄膜,并对样品进行了快速退火处理,退火温度为600℃,时间为60 s。研究了退火前后薄膜的结构、光电特性的变化情况。退火后,薄膜的最小电阻率为4.2×10-4Ω.cm,其透过率为90.1%。禁带宽度由退火前的3.68 eV变为3.75 eV。
- 姜丽莉辛艳青宋淑梅杨田林李延辉韩圣浩
- 关键词：快速退火直流磁控溅射AZO薄膜
- 真空退火温度对GZO/Ag/GZO三层膜性能的影响被引量：2
- 2009年
- 室温下在玻璃衬底上,采用射频磁控溅射GZO(Ga掺杂ZnO)膜和离子束溅射Ag膜的方法,制备了GZO/Ag/GZO三层膜,分析了真空退火温度对样品结构、光学、电学性能的影响。结果显示:随着退火温度的升高,Ag层的结构得到明显改善,但GZO层结晶度受到了Ag扩散的影响。经过350℃退火后,样品在可见光区平均透射率达92.63%,电阻率由8.0×10–5Ω·cm降至4.0×10–5Ω·cm。
- 辛艳青姜丽莉宋淑梅杨田林李延辉
- 关键词：透明导电膜射频磁控溅射真空退火
- 薄膜厚度对直流溅射制备AZO薄膜的特性影响被引量：2
- 2009年
- 采用直流磁控溅射法,当衬底温度为室温时,在普通玻璃衬底上制备出了低电阻率、高透过率的ZnO∶Al透明导电薄膜。研究了薄膜厚度对薄膜结构以及光电特性影响。当薄膜厚度为930 nm,薄膜的光电特性最好,电阻率为4.65×10-4Ω.cm,可见光范围内的平均透过率为85.8%,禁带宽度约为3.51 eV。
- 张平王连杰杨斌宋淑梅杨田林
- 关键词：直流磁控溅射薄膜厚度光电特性禁带宽度
- 衬底温度对AZO/Cu/AZO多层薄膜结构及光电特性的影响被引量：4
- 2009年
- 采用射频磁控溅射和离子束溅射联合设备在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的AZO/Cu/AZO多层薄膜。研究了衬底温度对薄膜的结构和光电特性影响。X射线衍射谱表明AZO/Cu/AZO多层薄膜是多晶膜,AZO层具有六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向,Cu层具有立方结构。当三层薄膜制备过程中,衬底始终加热,衬底温度为100℃时,制备的薄膜具有最高的品质因子2.26×10^(-2)Ω^(-1),其方块电阻为11Ω·□^(-1),在波长500～800nm范围内平均透过率达到了87%。当制备靠近衬底的AZO层,衬底才加热时,发现衬底温度为250℃时,制备的多层薄膜光电特性最优,其方块电阻为8Ω·□^(-1),平均透过率为86%。
- 杨田林张之圣宋淑梅李延辉吕茂水韩圣浩庞智勇
- 关键词：AZO离子束溅射透明导电膜
- GZO/Ag/GZO多层薄膜制备、结构与光电特性的研究被引量：4
- 2009年
- 采用射频磁控溅射和离子束溅射联合设备在玻璃衬底上制备出了具有良好附着性、低电阻率和高透过率的GZO/Ag/GZO(ZnO掺杂Ga2O3简称GZO)多层薄膜。X射线衍射谱表明GZO/Ag/GZO多层薄膜是多晶膜,GZO层具有ZnO的六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向;Ag层是立方结构,具有(111)取向。在GZO层厚度一定的情况下,研究了Ag层厚度的变化对多层膜结构以及光电特性的影响。研究发现,当Ag层厚度为10nm时,3层膜的电阻率为9×10-5Ω.cm,在可见光范围内平均透过率达到89.7%,薄膜对应的品质因子数值为3.4×10-2Ω-1。
- 杨田林张之圣宋淑梅辛艳青姜丽莉李延辉韩圣浩
- 关键词：多层膜透明导电膜
- 基于传输线技术的零平均折射率(zero-)带隙的实验研究被引量：2
- 2009年
- 基于传输线方法,制备了含左手材料和右手材料的一维光子晶体.通过仿真软件ADS的模拟和矢量网络分析仪的测量,研究了光子晶体的传输特性.实验结果表明:由左手材料和右手材料构成的一维光子晶体具有零平均折射率(zero-)带隙,这一带隙处于左手通带和右手通带之间.zero-带隙分别由零平均介电常量和零平均磁导率决定,进而对晶格尺度不敏感.
- 张利伟杜桂强许静平王治国张冶文
- 关键词：左手材料传输线
- 同质缓冲层厚度对掺铝氧化锌薄膜性能的影响被引量：1
- 2010年
- 室温下,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备具有同质缓冲层的ZnO∶Al(AZO)薄膜。用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、四探针探测仪等对薄膜的结构和光电性能进行了研究。结果表明:当薄膜总厚度为400 nm时,制备具有66 nm同质缓冲层的AZO薄膜的方块电阻为26Ω.□–1,与单层AZO(400 nm)薄膜的方块电阻(63Ω.□–1)相比,下降了59%,其在可见光范围内的平均透过率为91%。
- 杨斌王连杰张平宋淑梅杨田林
- 关键词：AZO厚度方块电阻透过率
