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薄膜和量子点的外延生长(英文)被引量：1: 2010年; 首先简短地综述了人们关于外延薄膜材料层状(layer-by-layer)生长机制的认识;给出了作者关于自组装量子点外延生长过程的评价和观点,强调了量子点自组装生长过程的复杂性和非线性性质。在对已经发表过的实验数据进一步分析的基础上,作者对一个量子点自组装生长形成所需要的时间作了一个估算,说明这是一个非常快的过程(<10-4s)。最后,作者提出了一个理解量子点自组装生长过程机制的模型。; 吴巨金鹏曾一平王宝强王占国; 关键词：自组装量子点

The Origin of Multi-Peak Structures Observed in Photoluminescence Spectra of InAs/GaAs Quantum Dots: 2008年; Multi-peak structures in photoluminescence spectra of InAs/GaAs quantum dots are investigated. Excitation power-dependent photoluminescence spectra are used to identify the nature of different peaks. By combining experimental results and an energy-level structure analysis,origins of the multi-peaks are identified. Furthermore,inter-subband spacing of electrons and holes are deduced.; 梁志梅吴巨金鹏吕雪芹王占国; 关键词：PHOTOLUMINESCENCE

快速率生长MBE InAs/GaAs(001)量子点被引量：1: 2009年; 用快速率(1.0ML/s)生长MBE InAs/GaAs(001)量子点。原子力显微镜观察结果表明,在量子点体系形成的较早阶段,量子点密度N(θ)随InAs沉积量θ的变化符合自然指数形式N(θ)∝ek(θ-θc),这与以前在慢速生长(≤0.1ML/s)条件下出现的标度规律N(θ)∝(θ-θc)α明显不同。另外,在N(θ)随θ增加的过程中,快速率生长量子点的高度分布没有经历量子点平均高度随沉积量θ逐渐增加的过程。这些实验观察说明,以原子在生长表面作扩散运动为基础的生长动力学理论至少是不全面的,不适用于解释InAs量子点的形成。这些观察和讨论说明,即使在1.0ML/s的快速率生长条件下,量子点密度也可以通过InAs沉积量有效地控制在1.0×108cm-2以下,实现低密度InAs量子点体系的制备。; 吴巨曾一平王宝强朱占平王占国; 关键词：分子束外延量子点

MBE自组装量子点生长和结构形态研究(续): 2008年; 吴巨金鹏吕小晶王占国曾一平王宝强姚然; 关键词：自组装量子点 INAS/GAAS INAS量子点 MBE GAAS(001)

二维GaAs基光子晶体微腔的制作与光谱特性分析被引量：1: 2010年; 研究了以InAs量子点为有源区的二维GaAs基光子晶体微腔的设计与制作,测试并分析了室温下微腔的光谱特性.观察到了波长约为1137nm,谱线半高宽度约为1nm的尖锐低阶谐振模式发光峰.我们比较了不同刻蚀条件下光子晶体微腔的发光谱线,结果表明空气孔洞截面的垂直度是影响光子晶体微腔发光特性的重要因素之一.通过调节干法刻蚀工艺,改变空气孔半径与晶格常数的比率,可以在较大范围内调节谐振模式发光峰位置,达到谐振模式与量子点发光峰调谐的目的。; 彭银生叶小玲徐波牛洁斌贾锐王占国梁松杨晓红; 关键词：光子晶体微腔 GAAS 量子点谐振模式

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国家自然科学基金(60676029)