国家自然科学基金(60476026)
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
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- 相关机构：长春理工大学吉林师范大学柳州职业技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 808nm波长阵列半导体激光器单光纤耦合输出
- 设计并研制了808nm 波长阵列半导体激光器(LDA),器件腔长为1mm,总宽度为10mm,发光区宽度为 200μm,周期为400μm,发光单元总数为25,金属微通道冷却连续输出功率为40W。采用折叠镜面方式对阵列激光器...
- 高欣薄报学曲轶李辉张晶
- 关键词：激光技术光纤耦合光束整形
- 文献传递
- 短波长宽光谱超辐射发光二极管
- 采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱。利用大光腔结构制作出高功率、宽光谱、低发散角850nm 短波长超辐射发光二极管,在120mA 时器件半峰宽可达26nm,室温下连续输出功率达到6mW。与单模保偏光纤耦合...
- 李辉曲轶张晶高欣薄报学刘国军
- 关键词：激光技术超辐射发光二极管高功率
- 文献传递
- 高性能1．3μm InGaAsN量子阱半导体激光器
- 利用金属有机气相沉积(MOCVD)生长了 InGaAsN 量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化(PAO)技术制作了脊型波导半导体激光器。制作的条宽为100μm,腔长为1500μm 的激光器在室温下可实现最高962mW...
- 曲轶张晶李辉高欣薄报学
- 关键词：激光技术高功率半导体激光器
- 文献传递
- 高性能高应变InGaAs量子阱脊型波导半导体激光器被引量：1
- 2006年
- 介绍了利用分子束外延系统生长高应变InGaAs量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化技术制作脊型波导半导体激光器.4μm条宽脊型波导半导体激光器在室温下单面连续输出功率达到50mW.腔长600μm时,器件阈值电流密度为300A/cm2.在100mA电流下,激光器的峰值波长为1.19μm,激光器的最大斜率效率为0.45W/A.在20℃至100℃温度下,激光器的特征温度为129K.
- 曲轶J.X.ZhangA.UddinS.M.WangM.SadeghiA.Larsson薄报学刘国军姜会林
- 关键词：高应变
- 基于89C51的IC卡读写器设计与实现被引量：3
- 2006年
- 本文主要介绍了一种新型的IC卡读写终端的设计,IC卡读写终端是一个单片机嵌入式应用系统。论文从IC卡的国际标准入手,介绍了实现IC卡数据存储的控制方法,并以西门子公司的SLE4442型逻辑加密卡为基础,详细分析了单片机控制IC卡数据读写的软、硬件实现。
- 欧全梅
- 关键词：IC卡嵌入式
- 脉冲阳极氧化工艺制作GaAs/AlGaAs宽条形半导体激光器
- 2008年
- 研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阈值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%。
- 魏星乔忠良薄报学陈静张苗王曦
- 关键词：湿法刻蚀斜率效率
- 硫化的激光器腔面上溅射ZnS钝化膜的研究被引量：2
- 2008年
- 提出了一种新的激光器腔面钝化方法。先用(NH4)2S溶液硫化解理后的激光器腔面,然后使用磁控溅射方法对激光器的前腔面镀ZnS钝化膜、后腔面镀Si/SiO2高反射膜。ZnS钝化层光学厚度为λ/4,在中心波长为808nm处透过率可达95.5%。钝化前激光器的光学灾变损伤(COD)阈值为1.6W,钝化后为2.0W,提高了25%倍;未镀膜的激光器阈值电流为0.25A,经硫化再镀ZnS后阈值电流为0.20A,降低了20%。实验结果表明,经硫化后溅射ZnS对激光器腔面具有良好的钝化和增透效果。
- 刘春玲王春武么艳平薄报学
- 关键词：半导体激光器钝化硫化ZNS
- 直流磁控溅射制备a-Si：H膜工艺及其在激光器腔面膜上的应用被引量：3
- 2008年
- 利用直流(DC)磁控溅射方法制备氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜。研究了氢气流量、溅射源功率对膜的沉积速率、氢含量(CH)以及光学性能的影响。通过傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱计算氢含量,其最大原子数分数为11%。用椭偏仪测量了膜的折射率n和消光系数k,发现a-Si∶H薄膜的k值和n值都随CH的增加而减小。将优化的实验结果用于半导体激光器腔面高反镜的镀制,a-Si∶H薄膜在808 nm波长处的n和k分别为3.2和8×10-3,获得了良好的激光输出特性。
- 刘春玲么艳平王春武王玉霞薄报学
- 关键词：氢化非晶硅椭偏仪
