公共文化服务平台

共 5 条记录，以下是 1-5

全选清除导出

排序方式：

纳米ZnO镶嵌SiO_2薄膜的磁控溅射制备和发光性质的研究被引量：6: 2006年; 采用射频磁控反应溅射方法在Si O2衬底上制备了纳米ZnO镶嵌Si O2薄膜。在室温下利用吸收光谱和光致发光光谱研究了样品的光学性质。发现吸收光谱随纳米ZnO尺寸的减小发生了明显的蓝移,表明随着ZnO尺寸的减小,量子尺寸效应增强,导致带隙展宽,吸收峰蓝移。光致发光光谱在387和441nm附近出现了两个发光带,分析认为紫外发光来源于自由激子的辐射复合,而蓝色发光带来自于氧空位的电子到价带的跃迁,并用时间分辨光谱和发光衰减证实了上述观点。; 商红凯张希清姚志刚腾小瑛王永生黄世华; 关键词：纳米ZNO 磁控溅射光致发光

ITO表面研磨处理对有机电致发光器件性能的影响被引量：3: 2005年; 用一种特制的纳米研磨粉磨擦方法处理ITO表面,用扫描探针显微镜研究了ITO表面形貌,发现ITO表面尖峰明显减少,表面粗糙度降低;研究了ITO处理与没做处理的双层结构有机电致发光器件,发现ITO处理的器件在亮度和效率方面都有明显提高。分析了器件性能提高的原因,认为是由于ITO处理的器件提高了注入载流子并且降低了界面势垒。; 王丽张希清林鹏熊德平黄世华; 关键词：OLED ITO 表面处理

CdS薄膜的化学沉积法制备及其特性的研究被引量：10: 2007年; 用化学沉积方法在沉积温度为90℃下制备了CdS薄膜。研究了直接退火处理和涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理对CdS薄膜的影响。利用X射线衍射、扫描电子显微镜对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了研究,发现没有任何处理的CdS薄膜没有明显的晶型;直接退火处理促进了CdS立方相的结晶,晶粒没有增大且生长出许多细小的晶粒;涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理不仅极大地促进了CdS六角相的结晶,而且晶粒增粗增大,表面更加光滑。用吸收光谱研究了薄膜的光学特性,发现退火使薄膜的禁带宽度变窄,涂敷CdCl2甲醇溶液后退火处理使吸收边变陡和带尾变小。表明涂敷CdCl2甲醇溶液退火处理明显改善CdS薄膜的结晶质量和光学性质。; 孙学柏张希清杜鹏常笑薇王俊玲黄世华; 关键词：化学沉积 CDS薄膜退火

ZnGa2O4长余辉发光特性的研究被引量：2: 2008年; 以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4。用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505和690 nm两个余辉峰,且余辉峰相对强度受原料配比和烧结温度等制备条件的影响。ZnO不足和温度较高时505 nm峰相对强度较高,ZnO过量和温度较低时690nm峰相对强度较高。讨论了余辉峰的来源,认为505 nm峰来源于结构中Ga3+替代了部分Zn2+后相对变形八面体中Ga3+的2EA→4A2能级间跃迁;而690 nm峰起源于晶格中出现氧空位V0*后变形八面体中氧空位向其周围的O2-的V0*→O2-跃迁。解释了余辉峰相对强度受制备条件影响的原因:温度较高时ZnO较多挥发导致不足,而ZnO不足会使结构中出现Zn2+空位,从而多余的的Ga3+出现在这些空位上,其2EA到4A2能级间跃迁使505 nm发射占优;而温度较低时ZnO挥发较少,由于ZnO相对Ga2O3氧不足,可形成更多的O空位,有利于690 nm发射占优,这与余辉峰来源的讨论相符合。; 黄尚永张希清黄海琴姚志刚; 关键词：长余辉烧结温度发光特性

MBE生长ZnO薄膜的结构和光学特性的研究被引量：5: 2008年; 用等离子体源辅助分子束外延(P-MBE)方法在蓝宝石(0001)面上生长出了高质量的ZnO薄膜,并对其结构和发光特性进行了研究。在XRD中只观察到ZnO薄膜的(0002)衍射峰,其半高宽(FWHM)值为0.18°;而在共振Raman散射光谱中观测到1LO(579cm-1)和2LO(1152cm-1)两个峰位,这些结果表明ZnO薄膜具有单一c轴取向和高质量的纤维锌矿晶体结构。在吸收光谱中观测到自由激子吸收和激子-LO声子吸收峰,这表明在ZnO薄膜中激子稳定的存在于室温,并且两峰之间能量间隔为71.2meV,与文献上报道的ZnO纵向光学声子能量(71meV)相符。室温下在光致发光光谱(PL)中仅观测到位于376nm处的自由激子发光峰,而没有观测到与缺陷相关的深能级发射峰,表明ZnO薄膜具有较高的质量和低的缺陷密度。; 蓝镇立张希清杨广武孙建刘凤娟黄海琴张蕊殷鹏刚郭林宋宇晨; 关键词：ZNO薄膜光致发光 RAMAN散射

全选清除导出

共1页<1>

国家自然科学基金(60476005)