西北工业大学基础研究基金(JC20110245)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- SrHfON高k栅介质薄膜的漏电特性研究
- 2013年
- 采用射频反应磁控溅射法在p-Si(100)衬底上成功制备出SrHfON高k栅介质薄膜,并研究了Au/SrHfON/Si MOS电容的漏电流机制及应力感应漏电流(SILC)效应。结果表明,MOS电容的漏电流密度随N2流量的增加而减小。在正栅压下,漏电流主要由Schottky发射机制引起;在负栅压下,漏电流机制在低、中、高栅电场区时分别为Schottky发射、F-P发射和F-N隧穿机制。同时,Au/SrHfON/SiMOS电容表现出明显的SILC效应,经恒压应力后薄膜在正栅压下的漏电流由Schottky发射和F-P发射机制共同作用,且后者占主导地位。
- 王雪梅刘正堂冯丽萍
- 关键词：高K栅介质
- 退火对磁控溅射HfSi_xO_y薄膜光学性质的影响被引量：3
- 2012年
- 采用射频反应磁控溅射方法在硅衬底制备了HfSixOy薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)分析了HfSixOy薄膜的成分,用X射线衍射(XRD)检测了薄膜的结构,并用椭圆偏振光谱仪研究了退火处理对薄膜光学性质的影响。XRD谱显示,HfSixOy薄膜经700℃高温退火处理后仍为非晶态,而在900℃高温退火处理后出现晶化。采用Tauc-Lorentz(TL)色散模型对测试得到的曲线进行拟合并分析得出薄膜的光学常数,结果表明,薄膜的折射率随退火温度的升高而增加,而消光系数随退火温度的升高呈降低趋势。薄膜的光学带隙随着退火温度的升高增加,采用外推法得到薄膜沉积态和经500℃,700℃,900℃退火后的带隙分别为5.62,5.65,5.68,5.98eV。
- 田浩刘正堂冯丽萍高倩倩刘文婷
- 关键词：光学特性退火射频反应磁控溅射
- MoS_2电子结构、振动和介电性质的第一性原理计算被引量：1
- 2015年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了MoS2电子结构、振动和介电性质,得到了MoS2能带结构、态密度、介电谱和红外反射谱。研究表明,MoS2为间接带隙半导体。介电张量在垂直和平行于c轴方向表现出强烈的各向异性。电子屏蔽作用对介电常数贡献较强,晶格振动对介电常数贡献较弱。在300-500 cm^-1波段,由于红外光学模的存在,材料与电磁波存在较强的相互作用,透波性能较差。
- 陈继超刘正堂冯丽萍谭婷婷
- 关键词：MOS2第一性原理电子结构振动
