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国家自然科学基金(11374259)

作品数:3 被引量:6H指数:2
相关作者:张兵坡吴惠桢胡古今朱贺戴宁更多>>
相关机构:浙江大学中国科学院浙江大学城市学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低电阻率
  • 1篇电极
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电致发光
  • 1篇电子加速
  • 1篇电阻率
  • 1篇无机复合
  • 1篇离子注入
  • 1篇高阻
  • 1篇发光
  • 1篇复合发光
  • 1篇高剂量
  • 1篇ORBITA...
  • 1篇ROU
  • 1篇SYMMET...
  • 1篇ZNS薄膜
  • 1篇ANOMAL...
  • 1篇CDSE量子...
  • 1篇TOPOLO...

机构

  • 2篇浙江大学
  • 1篇浙江大学城市...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇吴惠桢
  • 2篇张兵坡
  • 1篇毕刚
  • 1篇胡炼
  • 1篇王淼
  • 1篇戴宁
  • 1篇吴剑钟
  • 1篇宋凌云
  • 1篇蔡春锋
  • 1篇刘博智
  • 1篇朱贺
  • 1篇胡古今

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇npj Co...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
ZnS薄膜参数对有机/无机复合发光器件特性的影响被引量:2
2014年
半导体量子点(QDs)具有发光效率高和发光波长可调等特点。采用胶体CdSe QDs作电致发光器件的有源材料,TPD(N ,N′-biphenyl-N ,N′-bis-(3-methylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)作空穴传输层, ZnS作电子传输层,研究了有机/无机复合发光器件ITO/TPD/CdSe QDs/ZnS/Ag的电致发光特性。TPD和CdSe QDs薄膜采用旋涂方法、ZnS薄膜采用磁控溅射方法沉积,器件表面平整。CdSe QDs的光致发光和电致发光谱峰位波长均位于~580 nm ,属于量子点的带边激子发光。我们与以前的ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag发光器件结构进行了对比,发现新的器件结构的电致发光谱没有观察到QDs表面态的发光,而且新器件的发光强度是ITO/ZnS/CdSe QDs/ZnS/Ag结构的~10倍。发光效率的提高归因于碰撞激发与载流子注入两种发光机制并存的结果:一方面电子经过ZnS 层加速后,碰撞激发CdSe QDs发光;另一方面,空穴从T PD层注入CdSe QDs与QDs中激发的电子复合发光。我们进一步研究了ZnS电子加速层厚度对发光特性的影响,选择ZnS薄膜的厚度分别是80,120和160 nm ,发现随着ZnS层厚度增大,器件启亮电压升高, EL强度增大,但是击穿电压降低。EL峰位随着ZnS厚度的减小发生明显蓝移,对上述实验现象进行了机理解释。
宋凌云蔡春锋刘博智胡炼张兵坡吴剑钟毕刚吴惠桢
关键词:CDSE量子点电致发光电子加速
高剂量As离子注入对高阻Si电学特性的影响被引量:4
2014年
为了实现低电阻率厚度为纳米级的红外探测器电极材料,通过离子注入的方法将高浓度的As掺入高阻单晶硅,并经过快速退火处理,获得了厚度~200 nm、电阻率为10-4?·cm的Si:As电极层.原子力显微镜测试结果表明,离子注入的样品表面依然较平整,表面均方根粗糙度仅为0.5 nm.使用聚焦离子束设备(FIB)制备高分辨透射电镜(HRTEM)样品,高浓度的As掺入虽然会损伤Si晶格、引入大量的缺陷,但是HRTEM观察表明合适的退火工艺能够使得完整晶格得到恢复,而且霍尔效应和扩展电阻的测量分析表明,用离子注入方法制备的Si:As层载流子浓度达到2.5×1020cm-3、电子迁移率高于40 cm2/V·s,具有优异的电学性能,适合用作各种Si基光电器件的背电极.
朱贺张兵坡王淼胡古今戴宁吴惠桢
关键词:离子注入低电阻率
The origin of electronic band structure anomaly in topological crystalline insulator group-Ⅳ tellurides
2015年
Group-Ⅳ tellurides have exhibited exotic band structures.Specifically,despite the fact that Sn sits between Ge and Pb in the same column of the periodic table,cubic SnTe is a topological crystalline insulator with band inversion,but both isovalent GeTe and PbTe are trivial semiconductors with normal band order.By performing first-principles band structure calculations,we unravel the origin of this abnormal behaviour by using symmetry analysis and the atomic orbital energy levels and atomic sizes of these elements.In group-Ⅳ tellurides,the s lone pair band of the group-Ⅳ element is allowed by symmetry to couple with the anion valence p band at the L-point,and such s–p coupling leads to the occurrence of bandgap at the L-point.We find that such s–p coupling is so strong in SnTe that it inverts the band order near the bandgap;however,it is not strong enough in both GeTe and PbTe,so they remain normal semiconductors.The reason for this is the incomplete screening of the core of the relatively tight-binding Ge 4s orbital by its 3d orbitals and the large atomic size and strong relativistic effect in Pb,respectively.Interestingly,we also find that the rhombohedral distortion removes the inversion symmetry and the reduced s–p coupling transforms theα-SnTe back to a normal semiconductor.Our study demonstrates that,in addition to spin–orbital coupling,strain and interface dipole fields,inter-orbital coupling is another effective way to engineer the topological insulators.
Zhen-Yu YeHui-Xiong DengHui-Zhen WuShu-Shen LiSu-Huai WeiJun-Wei Luo
关键词:TOPOLOGICALORBITALSYMMETRY
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