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国家杰出青年科学基金(60325413)

作品数:4 被引量:2H指数:1
相关作者:沈波桂永胜唐宁褚君浩朱博更多>>
相关机构:中国科学院北京大学南京大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇XGA
  • 3篇GAN
  • 3篇N
  • 3篇X
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇AL
  • 1篇异质结
  • 1篇势垒
  • 1篇局域
  • 1篇局域效应
  • 1篇AU
  • 1篇GA
  • 1篇GAN异质结...
  • 1篇HETERO...
  • 1篇磁阻

机构

  • 3篇中国科学院
  • 2篇北京大学
  • 2篇南京大学
  • 1篇兰州大学
  • 1篇中华人民共和...

作者

  • 4篇沈波
  • 3篇唐宁
  • 3篇桂永胜
  • 2篇陈敦军
  • 2篇郑有炓
  • 2篇郭少令
  • 2篇朱博
  • 2篇褚君浩
  • 1篇吕捷
  • 1篇徐科
  • 1篇张福甲
  • 1篇杨志坚
  • 1篇王茂俊
  • 1篇焦刚
  • 1篇张国义
  • 1篇陈堂胜
  • 1篇周慧梅
  • 1篇商丽燕
  • 1篇周文政

传媒

  • 2篇稀有金属
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2006
  • 2篇2004
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN二维电子气中的弱局域和反弱局域效应被引量:1
2006年
通过磁输运测量研究了Al0·22Ga0·78N/GaN二维电子气的电子相干散射中的弱局域和反弱局域化现象.在外加弱磁场的情况下,该系统表现出正-负磁阻的变化,说明在Al0·22Ga0·78N/GaN异质结中存在晶体场引起的电子自旋-轨道散射.同时讨论了二维电子气中不同的散射时间对温度的依赖关系,实验得到的非弹性散射时间与温度成反比,表明非弹性散射机理主要来源于小能量转移的电子-电子散射.
朱博桂永胜周文政商丽燕郭少令褚君浩吕捷唐宁沈波张福甲
关键词:二维电子气磁阻
Influence of Al Composition on Transport Properties of Two-Dimensional Electron Gas in Al_xGa_(1-x)N/GaN Heterostructures
2006年
Magnetotransport properties of two-dimensional electron gases (2DEG) in AlxGa1-x N/GaN heterostructures with different Al compositions are investigated by magnetotransport measurements at low temperatures and in high magnetic fields. It is found that heterostructures with a lower Al composition in the barrier have lower 2DEG concentration and higher 2DEG mobility.
唐宁沈波王茂俊杨志坚徐科张国义桂永胜朱博郭少令褚君浩
Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的磁致子带间散射效应
2004年
通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN异质结二维电子气 ( 2DEG)的磁电阻振荡现象。观察到了磁致子带间散射 (MIS)效应。在极低温下观察到了表征两个子带被 2DEG占据的双周期舒勃尼科夫 德哈斯 (SdH)振荡。实验观察到MIS效应引起的磁电阻振荡的幅度随温度上升略有减小 ,振荡的频率为两个子带SdH振荡频率之差。随着温度的升高 ,MIS振荡成为主要的振荡。由于SdH振荡和MIS振荡对温度的依赖关系不同 ,实验观察到SdH和MIS振荡之间的调制在温度 10和 17K之间最为强烈 ,其它温度下的调制很弱。
唐宁沈波陈敦军桂永胜仇志军郑有炓
关键词:二维电子气
Au/Ni/Al/Ti/Al_xGa_(1-x)N/GaN和Au/Pt/Al/Ti/Al_xGa_(1-x)N/GaN欧姆接触研究被引量:1
2004年
研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au多层金属膜与未掺杂的Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN(i AlGaN/GaN)异质结构之间的欧姆接触性质。在退火温度低于 70 0℃时 ,两种接触样品上都不能得到欧姆接触。随着退火温度的升高 ,85 0℃快速退火后 ,在Ti/Al/Ni/Au接触上获得了 1.2 6×10 - 6 Ω·cm2 的比接触电阻率 ,在Ti/Al/Pt/Au接触上获得了 1.97× 10 - 5Ω·cm2 的比接触电阻率。研究结果表明 ,金属与半导体接触界面和Al0 .2 2 Ga0 .78N异质结构界面载流子沟道之间适当的势垒的存在对高质量欧姆接触的形成起重要作用 ,势垒的宽度取决于退火温度以及退火的具体进程。对Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au欧姆接触比接触电阻率的差异进行了解释。
周慧梅沈波陈敦军陈堂胜焦刚郑有炓
关键词:势垒
共1页<1>
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