上海-AM基金(0511)
- 作品数：6 被引量：6H指数：2
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- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- 溅射工艺对LaNiO_3薄膜结构的影响被引量：2
- 2008年
- 采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜。通过原位加热或后续热处理使薄膜晶化。借助X-ray衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺对薄膜显微结构的影响。实验结果表明,溅射时是否加热对薄膜的结晶取向影响很大,而氧分压则影响La/Ni比。衬底不加热时,通过后续热处理得到多晶的随机取向薄膜,而当溅射时原位加热300℃,则得到有明显(100)择优取向的薄膜。
- 张丛春石金川刘兴刚杨春生
- 关键词：沉积温度
- 溅射工艺对LaNiO3薄膜结构和电性能的影响被引量：1
- 2008年
- 采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上制备了LaNiO3薄膜。通过后续热处理使薄膜晶化,并用四探针法测量了薄膜的表面电阻率。借助X射线衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺及热处理温度对薄膜显微结构的影响。实验结果表明,在氧气氛保护下,于550℃处理1h,薄膜晶化。溅射氧分压在10%-25%之间,700℃热处理时可以得到表面光滑致密且电性能较好的薄膜。
- 张丛春杨春生石金川丁桂甫
- 关键词：磁控溅射LANIO3显微结构电阻率
- 一种新型的全局互连结构及其加工方法
- 2007年
- 随着特征尺寸的缩小,互连成为制约集成电路性能提高和成本下降的主要因素。为了降低互连延迟,提出了一种全新的全局互连结构,即利用掩膜电镀和CMP技术形成三维的铜互连结构,再利用牺牲层技术将三维结构镂空,得到悬空的全局互连结构。该结构可大大地降低全局互连对延迟的影响。
- 张丛春刘兴刚杨春生石金川
- 关键词：牺牲层CMP
- 制备Cu互连悬空结构的新型工艺研究被引量：2
- 2007年
- 为了降低集成电路中的互连延迟,采取了一种新型的集成电路Cu互连工艺,以掩膜电镀的方法制备Cu互连的叠层结构,借鉴MEMS工艺的牺牲层技术,用浓磷酸对Al2O3牺牲层进行湿法刻蚀,不仅在互连金属间介质层而且在层内介质层都形成了以空气为介质的Cu互连悬空结构。用一种叉指测试结构对以空气和聚酰亚胺为介质的互连性能进行了比较,结果表明,采用空气介质减小了互连线耦合电容,为进一步降低集成电路的互连延迟提供了途径。
- 刘兴刚张丛春杨春生石金川
- 关键词：CU互连低介电常数电容
- 磁控溅射的TaN薄膜的扩散阻挡性能被引量：1
- 2008年
- 用反应磁控溅射方法在SiO2/Si(100)衬底和Cu薄膜间溅射一层TaN阻挡层,测试不同N气分压及热处理温度下Cu/TaN/SiO2/Si薄膜的显微结构和电阻特性。同时利用微细加工技术加工了镂空的Cu互连叉指测试结构,研究了TaN薄膜在镂空的铜互连结构中的扩散阻挡性能。结果发现,在退火温度不超过400℃时,薄膜电阻率均低于80μΩ.cm,而当溅射N分压超过10%,退火温度超过400℃时,薄膜电阻率很快上升。低N气分压下(≤10%)溅射时,即使退火温度达到600℃,薄膜电阻基本不变。
- 张丛春刘兴刚石金川杨春生
- 关键词：铜互连磁控溅射热稳定性
- 溅射法制备BST纳米薄膜电学性能的研究
- 2006年
- 采用射频磁控溅射与微细加工技术,制得Cu/BST/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM(金属-绝缘体-金属)微电容结构。研究了不同退火时间、薄膜厚度对钛酸锶钡(BST)纳米薄膜介电常数和漏电流密度的影响,结果表明,随着退火时间的延长,BST纳米薄膜结晶度提高,介电常数增加,退火30 min的纳米薄膜具有最高的介电常数和较小的漏电流密度。同时还得出介电常数随薄膜厚度的减少而减少,在0.1 MV/cm下,90 nm和50 nm薄膜的漏电流密度分别为5.35×10-8A/cm2和6×10-6A/cm2。
- 唐逸杨春生马骏
- 关键词：BST磁控溅射膜厚介电性能
