江苏省自然科学基金(BK2005023)
- 作品数：3 被引量：21H指数：2
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 用掺杂方法改变VO_2多晶薄膜相变温度研究被引量：6
- 2005年
- 用离子束增强沉积方法对二氧化钒多晶薄膜作Ar和W掺杂,明显改变了二氧化钒薄膜的相变温度。研究表明,成膜时注入的氩在二氧化钒结构形成前就很快外释,掺杂Ar对相变温度降低的贡献主要来自间隙Ar。W原子的掺杂可有效地将二氧化钒多晶薄膜的相变温度降低到室温附近,为大幅提高薄膜的室温电阻-温度系数提供了可能。
- 谢建生李金华袁宁一陈汉松周懿
- 关键词：二氧化钒薄膜掺杂改性相变
- 超高温度系数V_(0.97)W_(0.03)O_2多晶薄膜的制备研究被引量：14
- 2007年
- 将V2O5粉体与WO3粉体均匀混合并压制成靶,用离子束增强沉积加后退火技术在SiO2衬底上制备掺钨VO2多晶薄膜.X射线衍射表明,薄膜取向单一,为VO2结构的[002]相,晶格参数d比VO2粉晶增大约0.34%;薄膜从半导体相向金属相转变的相变温度约28℃;室温(300K)时的电阻-温度系数(TCR)可大于10%/K,是目前红外热成像薄膜TCR的四倍.W离子的半径大于V离子的半径,W的掺入在薄膜中引入了张应力,使薄膜相变温度降低到室温附近,是IBEDV0.97W0.03O2薄膜的室温电阻温度系数提高的原因.
- 李金华袁宁一谢太斌但迪迪
- 关键词：二氧化钒薄膜离子束增强沉积温度系数
- 离子束增强沉积掺杂氧化钒薄膜的最佳退火条件被引量：1
- 2005年
- 用离子束增强沉积方法制备掺杂Ar和W的VO2多晶薄膜,明显改变了VO2薄膜的相变温度。试验发现,薄膜存在一个形成VO2结构的临界结晶温度,该温度随薄膜制备时沉积条件的不同而改变。选择适当的杂质和退火条件可以将VO2薄膜的相变温度降低到室温附近,获得较高室温电阻温度系数的薄膜。
- 谢建生李金华袁宁一
- 关键词：氧化钒薄膜退火离子束增强沉积
