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国家自然科学基金(69906002)

作品数：1 被引量：8H指数：1
相关作者：樊志军王占国刘祥林万寿科更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 1篇性能研究
  • 1篇润湿
  • 1篇气相外延
  • 1篇铟镓氮
  • 1篇温度
  • 1篇铝镓氮
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物气...
  • 1篇光性质
  • 1篇光致发光性质
  • 1篇发光性
  • 1篇SI(111...
  • 1篇铟
  • 1篇ALN
  • 1篇GAN
  • 1篇MOVPE
  • 1篇变温

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇刘祥林
  • 3篇王占国
  • 2篇王晓晖
  • 1篇董逊
  • 1篇袁海荣
  • 1篇陆沅
  • 1篇徐仲英
  • 1篇黄劲松
  • 1篇万寿科
  • 1篇黎大兵
  • 1篇樊志军
  • 1篇陈振
  • 1篇陆大成

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 2篇2002
  • 1篇2001
共 1 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
InGaN光致发光性质与温度的关系被引量：8
2001年
分析了用金属有机物气相外延方法 (MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮 (In Ga N)的光致发光 (PL)性质 .发现在 4.7K至 30 0 K范围内 ,随着温度升高 ,In Ga N带边辐射向低能方向移动 ,峰值变化基本符合 Varshni经验公式 ;同时 In Ga N发光强度虽有所衰减 ,但比 Ga N衰减程度小 ,分析了导致 Ga N和 In Ga N光致发光减弱的可能因素 .
樊志军刘祥林万寿科王占国
关键词：INGAN变温光致发光性质铟镓氮
铟铝镓氮四元合金薄膜的生长和性能研究
近年来,铟铝镓氮（InLAlGaN）四元合金因其晶格常数和带隙可以独立调节而备受青睐,而生长温度对InAlGaN薄膜质量和性能有很大的影响。本文采用低压金属有机物气相外延,系统研究了不同温度下在蓝宝石衬底上生长InAlG...
黎大兵董逊黄劲松刘祥林徐仲英王晓晖王占国
关键词：金属有机物气相外延光致发光
文献传递
采用超薄AlN润湿层在Si(111)衬底上生长GaN的特性研究
通过采用超薄的AIN润湿层和低温GaN成核层作为复合缓冲层,我们用金属有机物气相沉积(MOCVD)设备在Si(111)衬底上生长了高质量的GaN薄膜。实验结果GaN(0002)衍射峰的X射线摇摆曲线(XRC)的半高宽(F...
陆沅刘祥林陆大成袁海荣陈振王晓晖王占国
关键词：GAN
文献传递
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