国防科技技术预先研究基金(41312011002)
- 作品数：21 被引量：158H指数：9
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- 相关机构：国防科学技术大学国防科技大学中南大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术化学工程金属学及工艺电子电信更多>>
- 化学气相沉积SiC涂层生长过程分析被引量：10
- 2005年
- 以高纯石墨为沉积基体,MTS为先驱体原料,在负压条件下沉积了CVD SiC涂 层.利用SEM和XRD分别对涂层的形貌及晶体结构进行了表征,SiC涂层表面呈菱柱状, (111)面为择优取向面.利用高分辨透射电镜对涂层与基体的界面结构、涂层的显微结构进行 了研究,得出CVD SiC涂层生长过程如下:SiC最初是沿着石墨基体的晶面取向开始生长 的}随后经历一段取向淘汰及调整的过程后,开始(111)晶面的生长.
- 刘荣军张长瑞周新贵曹英斌
- 关键词：化学气相沉积SIC晶体生长涂层HRTEM
- C_f/SiC复合材料抗氧化涂层的制备、性能与保护机理被引量：3
- 2005年
- 用化学气相沉积法(chemicalvapordeposit,CVD)在碳纤维增强碳化硅复合材料(carbonfiberreinforcedsiliconcarbidecomposites,Cf/SiC)表面制备了CVDSiC粘接层、自愈合功能层和CVDSiC耐冲蚀层组成的3层涂层体系,并进行了氧化实验。结果表明:单层CVD SiC涂层保护试样的氧化质量损失速率比无涂层试样的明显降低,含有自愈合层的3层涂层保护试样比单层CVDSiC保护试样的氧化质量损失速率又有明显降低。3层涂层保护的试样800～1300℃的氧化质量损失率非常小,氧化288h后仍能保持较高的弯曲强度。通过扫描电镜观察到自愈合层的玻璃态物质进入涂层裂纹中,有效地填充裂纹并阻挡氧的通过。同时,因涂层不均产生的孔洞或玻璃态物质流失后产生的涂层裂纹等缺陷会导致其自愈合功能的失效,使Cf/SiC复合材料不均匀氧化。
- 邹世钦张长瑞周新贵曹英斌
- 关键词：抗氧化涂层碳纤维增强碳化硅复合材料
- C/SiC材料表面Si/SiC涂层及其对基底结构的影响被引量：3
- 2006年
- 采用泥浆预涂层反应法在C/SiC复合材料表面制备Si/SiC涂层。通过理论计算和实验确定了制备致密不开裂涂层的泥浆配比;研究了埋粉烧结和气相硅真空反应烧结2种不同烧结气氛对Si/SiC涂层微观形貌和成分的影响;比较了单涂层和双涂层2种不同涂层制备方法对C/SiC复合材料基底结构的影响;用SEM观察涂层形貌,用XRD分析涂层成分与晶体结构。结果表明:泥浆中C∶Si(质量比)在1∶1.25左右制备的涂层不开裂;埋粉烧结制备的涂层成粉,而气相硅真空反应烧结制备的涂层致密且与基底结合好;单涂层法制备涂层后基底材料致密度高,而双涂层法制备涂层后基底仍然保持多孔结构。
- 李俊生张长瑞曹英斌张玉娣
- C/SiC复合材料与CVDSiC涂层的结合性能研究被引量：4
- 2004年
- 采用先驱体转化法(PIP方法)制备C/SiC陶瓷基复合材料,通过调整多孔预制件的体积密度制备出不同组分比的C/SiC复合材料。结果显示,C/SiC复合材料的热膨胀系数随着复合材料中SiC含量的增加而增加,其与CVDSiC涂层之间的热匹配也相应增加,通过CVI方法制备梯度过渡层,在C/SiC复合材料表面制备出致密度较高的CVDSiC涂层。
- 张玉娣张长瑞刘荣军刘晓阳
- 关键词：C/SIC复合材料SIC涂层先驱体转化法化学气相沉积法
- 连续纤维增强SiCf/SiC陶瓷复合材料的发展被引量：18
- 2003年
- 连续纤维增强SiCf/SiC陶瓷基复合材料具有良好的高温力学性能、抗氧化性和化学稳定性,是航空航天和核能等领域新的高温结构材料研究的热点之一。回顾了增强体连续SiC纤维的发展,综述了SiCf/SiC材料的成型制备工艺、界面相对力学性能的影响和目前的应用研究,展望了连续纤维增强SiCf/SiC陶瓷基复合材料以后的研究重点及发展前景。
- 邹世钦张长瑞周新贵曹英斌
- 关键词：陶瓷复合材料抗氧化性化学稳定性高温性能
- SiC_f/SiC陶瓷复合材料的研究进展被引量：8
- 2003年
- SiCf/SiC陶瓷复合材料具有良好的力学性能、高温抗氧化性和化学稳定性 ,是航空航天和原子能等领域理想的新一代高温结构材料。本文概述了增强体SiCf 的发展状况及存在的问题 ,对SiCf/SiC材料的制备工艺、界面相的研究状态、材料的损伤破坏机理和目前的应用研究进展做了综述 ,并分析了SiCf/SiC陶瓷复合材料的研究重点和发展前景。
- 邹世钦张长瑞周新贵曹英斌
- 关键词：碳化硅纤维陶瓷基复合材料先驱体转化法CVD法化学气相渗透界面层
- 低分子量聚碳硅烷制备3D-Cf/SiC复合材料被引量：5
- 2005年
- 研究了低分子量聚碳硅烷(PCS)通过先驱体浸渍裂解(PIP)工艺制备Cf/SiC复合材料.分析表明:PCS的数均分子量为400,活性较强,陶瓷化产率为70%左右,在1200℃基本转化为微晶态的β-SiC.分别通过3种不同升温速率制备了3D-Cf/SiC复合材料试样,其弯曲强度分别为745.2 MPa、686.7 MPa和762.5 MPa,明显高于文献报道3D-Cf/SiC复合材料弯曲强度300～500 MPa的水平.试样断口的SEM照片均显示长的纤维拔出,有良好的增韧效果,低分子量PCS裂解得到的基体比较致密.实验结果说明,低分子量PCS适合于制备3D-Cf/SiC复合材料,并且提高升温裂解速率对材料性能影响很小.
- 邹世钦张长瑞周新贵曹英斌
- CVI-PIP工艺制备C/SiC复合材料及其显微结构研究被引量：13
- 2004年
- 采用化学气相渗透 (CVI)与先驱体浸渍裂解 (PIP)两种工艺方法联用制备C SiC陶瓷基复合材料 ,通过与单纯PIP工艺的致密化效率比较 ,复合材料的扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)分析 ,结果表明 :采用CVI PIP联用的方法制备C SiC复合材料 ,致密化程度有明显的提高。CVI沉积SiC基体结晶性较好 ,为典型的 β SiC晶体结构 ;而PIP先驱体聚碳硅烷裂解基体为无定型结构 ,基体结构差异是决定材料结构与性能的关键因素。
- 张玉娣张长瑞
- 关键词：化学气相渗透先驱体浸渍裂解C/SIC复合材料显微结构
- SiC基陶瓷卫星反射镜研究进展被引量：23
- 2002年
- 从各种卫星反射镜材料的性能和特性出发,得出SiC及其复合材料作为反射镜材料的性能最佳的结论,阐述了SiC反射镜制备工艺及方法特点,详细介绍了SiC陶瓷基卫星反射镜的国内外发展现状,最后对SiC基陶瓷卫星反射镜的发展提出了展望。
- 张玉娣张长瑞周新贵曹英斌
- 关键词：碳化硅
- CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响被引量：13
- 2004年
- 以CH3SiCl3 H2体系在1000～1300℃沉积了SiC涂层,研究了温度对涂层沉积速率的影响,应用自发形核理论解释了不同沉积温度下CVDSiC涂层的组织结构。结果表明,随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的沉积速率相应增大;1000～1200℃沉积过程为化学动力学控制过程,1200～1300℃沉积过程为质量转移控制,1000℃和1100℃沉积的SiC涂层表面光滑、致密;1200℃和1300℃沉积的SiC涂层表面粗糙、多孔;随着沉积温度的提高,CVDSiC涂层的晶体结构趋于完整,当温度超过1150℃时,涂层中除β SiC外还出现了少量α SiC。
- 刘荣军张长瑞刘晓阳周新贵曹英斌
- 关键词：化学气相沉积SIC涂层沉积速率碳化硅
