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国家自然科学基金(11074256)

作品数：3 被引量：0H指数：0
相关作者：张发培潘国兴肖宇李峰周国庆更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院大学安徽大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 1篇电池
  • 1篇形貌
  • 1篇旋涂
  • 1篇旋涂法
  • 1篇溶剂
  • 1篇太阳电池
  • 1篇缺陷密度
  • 1篇晶体管
  • 1篇混合法
  • 1篇钙钛矿
  • 1篇薄膜形貌
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇大尺寸

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 2篇张发培
  • 1篇潘国兴
  • 1篇李田
  • 1篇周国庆
  • 1篇李峰
  • 1篇肖宇

传媒

  • 2篇功能材料

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
两步旋涂沉积条件对钙钛矿薄膜形貌和电池性能的影响研究
2017年
钙钛矿薄膜的制备条件和生长过程对其太阳电池性能有着至关重要的影响。基于两步旋涂法,采用4种不同的薄膜工艺制备了平面异质结型钙钛矿太阳电池,系统地研究了CH3NH3PbI3薄膜形貌对于太阳电池性能的影响。实验发现,PbI_2溶液的溶剂成分以及CH_3NH_3I溶液的浓度对于生成的CH_3NH_3PbI_3光活性层形貌和太阳电池性能有着显著影响。相比于纯的N,N-二甲基甲酰胺(DMF),采用DMF/二甲基亚砜(DMSO)的混合溶剂配制PbI_2溶液,获得的钙钛矿薄膜层更加平整致密,器件性能更高且性能的重现性更好。通过制备条件的优化,得到了14.2%的最佳能量转换效率。此外还分析了器件伏-安(J-V)特性测量中出现的回滞现象及其可能原因,并发现在空穴层传输层和金电极间插入6nm MoO_3层能够显著地抑制J-V回滞效应。
李欣杭周国庆潘国兴李田张发培
关键词：形貌缺陷密度
溶液相大尺寸有机薄晶体的生长及其场效应晶体管研究
2014年
利用改进的两溶剂混合法生长出大尺寸6，13一双（三异丙基甲硅烷基乙炔基）并五苯（TIPS-PEN）薄晶体。晶体尺寸可达几毫米，厚度范围为90～700nm。用偏光显微镜确定了其单结晶性。通过对比实验发现，随着溶液浓度的升高，有机薄晶体尺寸增大，厚度增加。用X射线衍射和选区电子衍射对TIPS-PEN薄晶体进行表征，结果显示薄晶体具有非常高的有序结构。基于薄晶体的场效应晶体管（FET）具有高的空穴迁移率，达0．39cm2／v·S，较旋涂制备的薄膜晶体管高两个量级，并且随着薄晶体厚度的降低载流子迁移率增加。
肖宇李峰张发培
关键词：场效应晶体管
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