陕西省自然科学基金(2007E104)
- 作品数：10 被引量：24H指数：3
- 相关作者：吕振林肖琪聃王超周永欣李阳更多>>
- 相关机构：西安理工大学西北工业大学陕西理工大学更多>>
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- 反应熔渗法制备Ti_3SiC_2材料载流摩擦磨损性能研究
- 2011年
- 采用反应熔渗法制备Ti3SiC2陶瓷材料;利用HST-100销盘式高速载流摩擦试验机,在法向载荷为20 N,滑动速度为5～25 m/s,电流为15～35 A的条件下,研究高纯致密Ti3SiC2材料的载流摩擦磨损行为。结果表明:采用反应熔渗法能够制备出高纯致密的Ti3SiC2陶瓷材料;Ti3SiC2材料表现出良好的载流摩擦磨损特性;通过SEM和EDS观察分析表明,载流条件下Ti3SiC2材料的摩擦磨损主要由机械摩擦和电弧烧蚀的交互作用。
- 李阳吕振林肖琪聃
- 关键词：TI3SIC2载流摩擦磨损
- 熔渗法制备Ti_3SiC_2材料及性能影响因素被引量：1
- 2010年
- 采用熔渗反应烧结技术制备了Ti3SiC2材料,并对影响制备材料性能的因素进行了分析.研究结果表明:在熔渗温度为1500℃、熔渗高度为6mm时,最佳熔渗保温时间应为30min;随着制备试样中Ti3SiC2相的逐渐增多,材料的抗弯性能明显提高;随着试验压力的增加,Ti3SiC2材料的摩擦因数和磨损率均呈现先增加后减小的趋势,在试验压力为30N时摩擦因数最大,压力为40N时磨损率最大;摩擦表面连续氧化膜的生成有助于减轻Ti3SiC2材料的磨损.
- 肖琪聃吕振林李阳
- 关键词：TI3SIC2抗弯强度磨损率
- 不同压力下Ti_3SiC_2陶瓷的干摩擦磨损性能研究被引量：7
- 2011年
- 采用反应烧结技术制备了Ti3SiC2陶瓷．利用环盘摩擦磨损试验机，研究了压力（栽荷）对反应烧结Ti3SiC2陶瓷的千摩擦磨损性能的影响．试验在环盘摩擦试验机上进行，以低碳钢为对摩体，温度为25℃，相对湿度为23％～25%，滑动时间为0．5h，滑动速度为0．5m／s，法向压力为20～60N．试验结果表明：随着压力的增大，Ti3SiC2陶瓷的干摩擦因数和磨损率均呈现先增加后降低趋势，干摩擦因数正压力为30N时最大，而磨损量则在压力为40N时最大．利用扫描电镜分析了压力对Ti3SiC2陶瓷的干摩擦磨损性能的影响，探讨了其摩擦磨损机理：当压力较小时，磨损以磨损表面发生流变和Ti。SiC2粒子脱落造成的磨粒磨损为主；当压力超过40N时，则以氧化膜的轻微划痕和轻微黏着磨损为主．
- 肖琪聃吕振林张珊珊谢辉
- 关键词：TI3SIC2磨损率
- 反应熔渗烧结法制备Ti_3SiC_2材料及其抗弯强度被引量：1
- 2011年
- 以钛、TiC、硅粉为原料,采用反应熔渗烧结法制备了Ti_3SiC_2材料,并对其抗弯强度及断口形貌进行了分析。结果表明:将物质的量比为1:2:0.2的钛、TiC、硅粉混合后,在1500℃烧结0.5h,能够制备出高纯致密的Ti_3SiC_2材料,Ti_3SiC_2的纯度高达97.6%,孔隙率仅为4.6%;随着Ti_3SiC_2材料纯度的增加,材料的抗弯强度明显提高,当Ti_3SiC_2材料的纯度为97.3%时,其抗弯强度达到252.5 MPa;断口可见大量层状Ti_3SiC_2颗粒,颗粒间无明显的界面。
- 吕振林李阳肖琪聃
- 关键词：TI3SIC2孔隙率抗弯强度
- 熔渗法制备Ti_3SiC_2陶瓷中硅的熔渗时间研究
- 2010年
- 以Ti/TiC/Si粉末为原料,采用液态熔渗硅方法制备出高纯的Ti3SiC2材料,并且从理论上推导液态熔渗硅方法制备Ti3SiC2陶瓷材料时熔渗时间与预制骨架高度之间的关系式,并通过熔渗实验进一步验证该关系式的可靠性。研究表明,熔渗时间随熔渗高度与熔渗温度的改变而变化。在保证毛细管力的前提下,毛细管半径越大,熔渗速度越快,熔渗时间越短。
- 肖琪聃吕振林李阳
- 关键词：TI3SIC2熔渗
- 反应烧结制备Ti_3SiC_2材料被引量：1
- 2008年
- 分别以粉末钛、硅、石墨和钛、碳化硅、石墨为原料,采用反应烧结工艺制备Ti3SiC2材料。结果表明:当以钛、硅、石墨单质粉料为原料时,在1 200~1 400℃温度范围内能够合成出高纯度的Ti3SiC2块体材料,且其纯度随着硅含量的增加而提高;当原料摩尔比为3∶1.3∶2和3∶1.4∶2时,该材料中只有Ti3SiC2相而无其他相存在;而以钛、碳化硅、石墨粉末为原料时,在1 200~1 400℃温度范围内很难合成出高纯度的Ti3SiC2块体材料。
- 王超吕振林周永欣张姗姗
- 关键词：TI3SIC2显微结构
- 熔渗烧结Ti_3SiC_2陶瓷材料的摩擦磨损性能研究被引量：6
- 2010年
- 采用熔渗烧结技术制备Ti3SiC2陶瓷材料,利用XRD-7000型X射线衍射仪、INSTRON-1195型电子万能试验机、HST-100型销-盘式摩擦磨损试验机和JSM-6700F型扫描电子显微镜对Ti3SiC2陶瓷烧结试样的相成分、抗弯强度、带电干摩擦条件下的摩擦磨损性能进行了试验分析.结果表明:随着烧结试样中Ti3SiC2含量的增加,材料的抗弯强度增大,摩擦系数与磨损率降低,材料表现出良好的摩擦学性能,磨损机制以黏着磨损为主.当Ti3SiC2质量分数达到76%左右时,材料抗弯强度开始明显增加;摩擦系数与磨损率明显减小.
- 肖琪聃吕振林于源
- 关键词：TI3SIC2摩擦磨损性能
- Ti_3SiC_2材料的力学性能及抗损伤机制被引量：1
- 2009年
- 利用反应烧结技术得到了纯度为93.0%的Ti3SiC2块体材料;测试了该材料的断裂强度和硬度;用XRD、SEM等方法分析了材料的物相组成、断口形貌和损伤机制;用TG/DTA法分析了气孔产生的原因。结果表明:1 250℃烧结Ti3SiC2材料的抗弯强度为105.59 MPa,硬度为101 HB;其强度随Ti3SiC2含量的增加而增大;材料的抗损伤机制是通过晶粒破碎、穿晶断裂、分层、拔出等形式来消耗能量,从而阻止了裂纹的扩展,表现出了一定的微塑性。
- 王超吕振林张姗姗周永欣
- 关键词：TI3SIC2力学性能
- 烧结温度对合成Ti_3SiC_2材料的影响及反应机理的研究被引量：7
- 2008年
- 以Ti/SI/C为原料，采用反应烧结方法制备Ti3SiC2材料，并分析反应烧结机理。结果表明，以3Ti／1．2Si／2C为起始原料，烧结温度在1250—1300℃之间，可以得到Ti3SiC2含量90％以上的Ti3SiC2材料。Ti3SiC2的反应合成机理是固-液反应，即：Ti3SiC2和β—Ti形成液相，液相冉与TiC反应，进而合成Ti3SiC2。
- 王超吕振林周永欣王玲玲
- 关键词：烧结温度热力学分析TI3SIC2反应机理
- Cr2AlC陶瓷的合成及其摩擦磨损性能被引量：1
- 2016年
- 以Cr粉、Al粉和石墨为原料,采用热压原位反应烧结合成Cr_2AlC陶瓷材料。研究不同的烧结温度对合成Cr_2AlC陶瓷的物相组成和性能的影响,对Cr_2AlC陶瓷的摩擦磨损性能进行了测试研究。实验结果表明,按照摩尔比n(Cr)∶n(Al)∶n(C)=2.0∶1.2∶1.0的粉末配比,在1 350℃热压烧结1.0h,可合成出高纯度单相Cr_2AlC陶瓷。当烧结温度较低时合成产物主要为Cr_2AlC、Cr_2Al和Cr_7C_3;当烧结温度超过1 450℃时Cr_2AlC陶瓷会分解为Cr_7C_3。Cr_2AlC陶瓷的干摩擦因数和磨损率均随摩擦载荷的增加呈现出先增加后降低的趋势,当载荷为50N时,干摩擦因数和磨损率达到最大值。
- 徐峰吕振林
- 关键词：层状陶瓷磨损量
