您的位置: 专家智库 > >

教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-04-0703)

作品数:29 被引量:75H指数:5
相关作者:姜胜林曾亦可张洋洋张海波金学淼更多>>
相关机构:华中科技大学玉溪师范学院黄石理工学院更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 28篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 14篇一般工业技术
  • 13篇电子电信
  • 9篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程

主题

  • 10篇红外
  • 8篇陶瓷
  • 8篇介电
  • 7篇电性能
  • 6篇压电
  • 6篇探测器
  • 6篇铁电
  • 6篇红外探测
  • 6篇非制冷
  • 6篇非制冷红外
  • 5篇压电陶瓷
  • 5篇热释电
  • 5篇介电性
  • 5篇介电性能
  • 5篇掺杂
  • 4篇热释电性
  • 4篇无机非金属
  • 4篇无机非金属材...
  • 4篇焦平面
  • 4篇红外探测器

机构

  • 29篇华中科技大学
  • 4篇玉溪师范学院
  • 1篇黄石理工学院

作者

  • 26篇姜胜林
  • 8篇曾亦可
  • 7篇张洋洋
  • 6篇张海波
  • 5篇金学淼
  • 5篇任伏龙
  • 4篇张丽芳
  • 4篇范茂彦
  • 4篇谢甜甜
  • 4篇仝金雨
  • 3篇刘栋
  • 3篇郭婷
  • 3篇张光祖
  • 3篇晏伯武
  • 3篇邓传益
  • 2篇刘梅冬
  • 2篇易飞
  • 2篇林汝湛
  • 2篇吴帮军
  • 2篇陈亚波

传媒

  • 6篇压电与声光
  • 4篇功能材料
  • 3篇华中科技大学...
  • 3篇电子元件与材...
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇仪器仪表学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇红外
  • 1篇复合材料学报
  • 1篇计算机与数字...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇激光与红外
  • 1篇黄石理工学院...
  • 1篇传感器与微系...

年份

  • 8篇2009
  • 4篇2008
  • 12篇2007
  • 6篇2006
29 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
大功率锆钛酸铅压电陶瓷A位置换的研究被引量:3
2007年
为制备大功率低损耗压电陶瓷材料,对锆钛酸铅压电陶瓷材料进行了A位置换的比较研究.实验结果表明:采用摩尔分数为5%的Sr进行A位置换,制备的陶瓷具有较低的介电损耗和较优的压电性能;而采用摩尔分数为5%的Ba置换,陶瓷则具有较大的介电损耗.采用摩尔分数为5%的Ba和5%的Sr的复合置换,陶瓷能获得较好的综合性能,其性能指标tanδ,Qm,KP,d33和rε分别为0.47%,2 065,0.515,322 pC/N和1 470,适合于大功率器件的应用.
晏伯武周东祥姜胜林
关键词:压电陶瓷锆钛酸铅介电损耗压电性能
非制冷红外探测器用热释电材料的研究进展被引量:1
2006年
分析了热释电非制冷红外探测技术的优势,介绍了当前应用较广泛的各种非制冷红外探测器用热释电材料,即单晶材料、高分子有机聚合物及复合材料和金属氧化物陶瓷及薄膜材料,并预计了热释电材料的发展趋势。指出了铁电性热释电陶瓷材料的优越性,其应用分为正常热释电体、介电测辐射热型热释电体和弥散相变热释电体,并分别列出了具有代表性材料的研究结果。最后,指出了研究高性能、大尺寸、易加工的热释电薄膜材料的制备技术,是未来红外探测器用热释电材料的发展的关键;并在此基础上结合半导体集成工艺,制备高性能、大规模的热释电红外焦平面阵列。
江勤姜胜林张海波杨智兵钟南海
关键词:非制冷红外探测器热释电铁电
微波烧结制备钛酸锶钡红外探测器材料被引量:4
2009年
以乙酸盐为原料,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为稳定剂,采用sol-gel法制备了Mn掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)凝胶,分析了凝胶的热演化过程,分别用传统烧结和微波烧结技术制备BST纳米粉体。与传统烧结相比,900℃微波烧结0.5h即可合成纯钙钛矿相BST粉体,相同烧结温度下所需时间缩短3/4,有效控制晶粒长大,粉体粒径约60nm。采用该粉体制备的BST厚膜材料,εm>1000,tanδ<0.02,弥散指数降低,是制备大阵列非制冷红外焦平面阵列(UFPA)的优选材料。
范茂彦姜胜林谢甜甜张清峰张丽芳
关键词:无机非金属材料钛酸锶钡SOL-GEL法微波烧结
UFPA器件微桥腐蚀工艺的研究被引量:1
2007年
利用硅单晶的各向异性腐蚀技术,研究了UFPA探测器的微桥腐蚀工艺.采用独特的腐蚀装置在厚度为300μm的硅基片上成功地制备了腐蚀坑深度为260μm,桥面宽度为2 mm的微桥结构.该装置能有效保护硅基片正面免受腐蚀液的漏蚀,从而可实施热释电薄膜的沉积先于微桥制备的技术线路,对提高器件的成品率具有重要的意义.
姜胜林江勤陈实刘梅冬
关键词:非制冷红外焦平面阵列各向异性腐蚀
铁电材料I-V特性测试系统
2006年
本文介绍了铁电材料的I-V特性及测量原理、测试系统的组成,并给出了测试软件的流程图。用该测试系统对PZT10铁电陶瓷进行I-V特性测试,测量结果与有关报道相符合。本文设计的系统软件不仅可以对所测的铁电样品进行参数计算、修改和保存数据,而且可以对铁电样品的漏电导和线性感应电容进行补偿,从而获得接近本征特性的I-V曲线。利用该测试系统,可以更加方便地对不同的铁电材料进行研究。
曾亦可陈刚张洋洋邓传益俞丹
关键词:铁电材料Ⅰ-Ⅴ特性数据采集
硝酸锰对PMN-PZT热释电陶瓷性能的影响被引量:4
2008年
研究了硝酸锰溶液掺杂对富锆铌镁酸铅-锆钛酸铅(PMN-PZT)热释电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、热释电性能等方面的影响,并对实验结果作出物理机理的解释。实验结果表明,以液态硝酸锰的形式进行锰掺杂使锰的加入更容易,有效改善了固态锰掺杂时析出损失和混合不均等问题;适量的硝酸锰溶液掺杂有助于陶瓷晶粒的生长,能有效地降低PMN-PZT陶瓷材料的相对介电常数(rε)和介电损耗(tanδ),并增加其热释电系数(p);在x(Mn)=3.0%时,制备出综合热释电性能良好的PMN-PZT热释电陶瓷,即室温时rε=197,tanδ=0.15%,p=3.5×10-8C/cm2℃,探测优值FD=8.7×10-5Pa-1/2,低温铁电相-高温铁电相(FRL-FRH)相变温度时rε=300,tanδ=0.45%,pmax=35×10-8C/cm2℃,FD=40.5×10-5Pa-1/2,符合制作热释电红外探测器的要求。
郭婷姜胜林张海波林汝湛
关键词:无机非金属材料介电性能
BST陶瓷场致热释电性能的研究被引量:3
2009年
采用改进的电子陶瓷工艺,制备了高密度Ba0.6Sr0.4TiO3热释电陶瓷样品。研究发现,在1 340℃下烧结的样品,其密度可达到理论密度的98.3%。室温下测得样品的介电损耗为0.2%。外加直流偏场对材料的介电和热释电性能影响显著。样品的场致热释电系数为3.4×10-8C/cm2.℃,探测率优值为10.0×10-5Pa-1/2。
张光祖姜胜林张洋洋张清风张先云
关键词:介电性能
非制冷红外焦平面高灵敏像元微桥设计
2009年
介绍了硅微桥结构的传热物理模型及其理论计算方法。提出一种厚膜像元尺寸为360μm×360μm,具有"桌形"绝热框架支撑的微桥结构像元,用有限元分析证明其有较小的热导G,能获得很高的响应率。微桥结构在非制冷红外焦平面(UFPA)单元探测器中起着力学支撑、热隔离和电连接的作用,其品质优劣直接影响着UFPA器件的成像性能。
范茂彦姜胜林谢甜甜张清峰张丽芳
关键词:非制冷红外微桥结构像元焦平面探测器
非制冷红外探测器用热释电材料的研究进展
分析了热释电非制冷红外探测技术的优势,介绍了当前应用较广泛的各种非制冷红外探测器用热释电材料,即单晶材料、高分子有机聚合物及复合材料和金属氧化物陶瓷及薄膜材料,并预计了热释电材料的发展趋势。指出了铁电性热释电陶瓷材料的优...
江勤姜胜林张海波杨智兵钟南海
关键词:非制冷红外探测器热释电铁电
文献传递
拉伸工艺对PVDF薄膜形貌与结构的影响被引量:6
2007年
聚偏二氟乙烯(PVDF)薄膜中,β相的相对含量对其压电、铁电性能起决定性作用。利用单轴拉伸工艺制备了高β相的相对含量的PVDF薄膜,运用XRD、SEM和FT-IR等测试手段,分析了拉伸过程中PVDF薄膜形貌与结构的变化,重点讨论了不同拉伸比R对薄膜微观结构及β相的相对含量的影响。结果表明:PVDF薄膜中的α晶相受均匀外力作用转变成β晶相,在80℃下拉伸5倍时,薄膜中β相的相对含量可高达77%。
刘栋姜胜林仝金雨金学淼
关键词:有机高分子材料PVDF单轴拉伸Β相
共3页<123>
聚类工具0