您的位置: 专家智库 > >

北京市属高等学校人才强教计划资助项目(PHR201007101)

作品数:4 被引量:3H指数:1
相关作者:严辉张铭郭宏瑞李廷先王京更多>>
相关机构:北京工业大学中山大学更多>>
发文基金:北京市属高等学校人才强教计划资助项目北京市自然科学基金北京市科技新星计划更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇理学

主题

  • 1篇电学
  • 1篇性能研究
  • 1篇整流
  • 1篇整流特性
  • 1篇铝镓氮
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备
  • 1篇SI衬底
  • 1篇场发射
  • 1篇衬底
  • 1篇磁控
  • 1篇N
  • 1篇N-

机构

  • 3篇北京工业大学
  • 1篇中山大学

作者

  • 3篇严辉
  • 2篇郭宏瑞
  • 2篇张铭
  • 1篇王光明
  • 1篇冯玉春
  • 1篇陈建
  • 1篇赵维
  • 1篇李廷先
  • 1篇王如志
  • 1篇王波
  • 1篇王京

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2010
4 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
氧压对脉冲激光沉积LaNiO_3薄膜结构和电学性能的影响
2011年
通过改变氧分压,利用脉冲激光沉积方法在Si(100)衬底上制备了系列LaNiO3导电氧化物薄膜;经XRD测试研究发现,通过调控氧压,可获得具有高(100)取向薄膜,且氧压对薄膜结晶性有很大影响,在氧分压为7.5Pa时获得结晶性最好的薄膜。经XRF分析表明,La、Ni元素化学成分计量比随氧压增大而减小。经四探针法测试,薄膜电阻率最小为2.03×10-4Ω.cm,表现出了良好的金属导电性。经SEM和AFM分析表明,薄膜晶粒为柱状晶,排列均匀致密,薄膜表面均匀,粗糙度较小,表明LaNiO3薄膜可以用作一种良好的铁电薄膜底电极材料。
王光明张铭李廷先郭宏瑞严辉
关键词:脉冲激光沉积SI衬底
硅掺杂铝镓氮薄膜场发射性能研究被引量:1
2013年
利用脉冲激光沉积,分别制备了一系列不同Si掺杂浓度的铝镓氮(AlGaN)薄膜.对此薄膜进行场致电子发射测试表明,Si掺杂浓度为1%的AlGaN薄膜具有最好的场发射特性.相对于非掺杂样品,其场发射电流明显增加,场发射开启电场显著降低.掺杂带来载流子浓度的提升,为场发射提供足够的电子源,使样品的场发射性能提升.但掺杂浓度的进一步提高,薄膜缺陷增加,电子迁移率降低,其薄膜内部电子输运能力降低大于电子浓度的增加对场电子发射的贡献,导致场发射性能开始变差.
王京王如志赵维陈建王波严辉
关键词:铝镓氮场发射
磁控溅射法制备La0.25Ca0.75MnO3/SrNb0.01Ti0.99O3异质n-n结的整流特性研究
采用磁控溅射法制备了LaCaMnO/SrNbTiO异质n-n结。电学性质测试表明,该异质结在50~300K较宽温度范围内均表现出良好的整流特性,且其扩散电势随温度升高而逐渐降低。对该异质结的变温logI-V、logI-T...
郭宏瑞张铭冯玉春严辉
关键词:整流特性
文献传递
共1页<1>
聚类工具0