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国家科技部科技人员服务企业行动项目(2009GJF120021)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：徐希嫔陈雨青王代强刘桥杨发顺更多>>
相关机构：贵阳学院贵州大学更多>>
发文基金：国家科技部科技人员服务企业行动项目贵州省自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控反应...
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇溅射
  • 1篇硅基
  • 1篇反应溅射
  • 1篇ALN薄膜
  • 1篇AR
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控反应溅射
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇N

机构

  • 1篇贵州大学
  • 1篇贵阳学院

作者

  • 1篇杨发顺
  • 1篇刘桥
  • 1篇王代强
  • 1篇陈雨青
  • 1篇徐希嫔

传媒

  • 1篇真空

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
N_2-Ar流量比对直流磁控溅射硅基AlN薄膜的影响被引量：1
2010年
本文研究了N2-Ar流量比对磁控溅射硅基AlN薄膜的影响,实验表明在其它参数一定的情况下,N2-Ar流量比对AlN薄膜元素种类与含量有很大影响,通过实验验证,选择N2-Ar流量比在1.525左右可获得质量较好的AlN薄膜(100取向)。
王代强陈雨青杨发顺徐希嫔刘桥
关键词：ALN薄膜直流磁控反应溅射
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共1页<1>
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